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半导体光电材料基础----综述报告 报告人：陈学妍 2010.11.12 一维量子点太阳能电池研究进展 半导体光电材料基础---综述报告 目录 1.引言 2.一维QDSC简介 2.1 一维QDSC结构 2.2一维QDSC机理 3一维QDSC的研究 3.1阳极基底材料的选择 3.2量子点敏化 3.3阳极结构的改进 4展望 目录 1.引言 2.一维QDSC简介 2.1 一维QDSC结构 2.2一维QDSC机理 3一维QDSC的研究 3.1阳极基底材料的选择 3.2量子点敏化 3.3阳极结构的改进 4展望 引言 清洁 安全 广泛 引言 量子限制效应 多激子效应 小带效应 66% 目录 1.引言 2.一维QDSC简介 2.1 一维QDSC结构 2.2一维QDSC机理 3一维QDSC的研究 3.1阳极基底材料的选择 3.2量子点敏化 3.3阳极结构的改进 4展望 一维QDSC简介 一维QDSC结构图 QDSC机理图 一维QDSC简介 e e 高电子传输速率 高比表面积 表面缺陷较少 目录 1.引言 2.一维QDSC简介 2.1 一维QDSC结构 2.2一维QDSC机理 3一维QDSC的研究 3.1阳极基底材料的选择 3.2量子点敏化 3.3阳极结构的改进 4展望 基底材料的选择 一维材料 文献报道电子传输速率/cm2V-1S-1 TiO2 15 ZnO 1–5 Si 1000 CNT 7.9-10×104 表1 文献报道一维材料电子传输速率 带隙 电子传导率 材料合成手段 量子点敏化 能级与基底材料的匹配 带细窄，利用可见光 CBD 分子偶联法 化学浴沉积法（CBD） 电化学沉积法 分子偶联法 气相沉积法等 CdS PdS CdSe InP In2S3 量子点敏化 CdS/ZnOnw-------3.53% 量子点敏化 SEM images of the TiO2 nanowire arrays (a) before In2S3 ALD coating and (b) after In2S3 ALD coating. In2S3/TiO2nt-------0.36% 量子点敏化—阳极的改进 阳极结构改进 多种量子点共同敏化 大小量子点配合敏化 量子点敏化—阳极的改进 Rainbow QDSC---充分利用光能 一维QDSC最高效率---4.15% 量子点敏化—有机分离层 SEM image of the P3HT@CdSe@ZnO core-shell nanorod ?lm. Scale bar: 1 μm. I-V curves for the photoanodes made from N719-coated ZnO film Problem： 电子和空穴的有效分离 电解质和阳极的界面复合 ？ P3HT是一种空穴传导层，带隙约为2.1ev，可以高效吸收450-600nm的光 作者认为P3HT提高电子注入效率和促进电荷分离的作用。 类似的有机物：PTAA,PDOCPT 量子点敏化—钝化层 消除量子点的表面态减少电子和空穴在表面处的束缚--提高光电压 抑制电子向电解液中的传输--提高光电流 半导体 QD 钝化层 目录 1.引言 2.一维QDSC简介 2.1 一维QDSC结构 2.2一维QDSC机理 3一维QDSC的研究 3.1阳极基底材料的选择 3.2量子点敏化 3.3阳极结构的改进 4展望 展望 1提高材料的制备工艺，充分利用电子传输速率高的材料 2阳极结构的合理化，减少内部复合的发生，如利用构成多级的分离层，构成电子和空穴的传导通路从而抑制复合 3充分利用量子点的多激子效应和量子尺寸效应，实现对光的高效利用 参考文献 [1] K. H. Yu and J. H. Chen，Nanoscale Research Letters,2009, 4, 1-10. [2] G. K. Mor, O. K. Varghese, M. Paulose, et al，Solar Energy Materials and Solar Cells,2006, 90, 2011-2075. [3] J. Chen, et alApplied Surface Science,2010, 256, 7438-7441. [4] H. Wang，et alJour