1.1半导体基础知识研究.ppt

§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 §1.4 场效应管 第一章 常用半导体器件 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 一、本征半导体 * 本征半导体是纯净的晶体结构 的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 无杂质 Si, Ge, GaAs,... 4价元素或化合物 电阻率介于导体与绝缘体之间 具有类似的结构 2、本征半导体的结构 * 由于热运动，有极少数的价 电子可以挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为空穴 共价键 半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象叫本征激发 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合 动态平衡 外加电场时，自由电子和空穴均参与导电，因此它们都是载流子。 3、本征半导体中的两种载流子 * 自由电子 空穴 负电，迁移率较高 正电，迁移率较低 本征半导体的两个特点： * 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？ 由于本征激发的载流子浓度不高，所以本征半导体材料的电阻率较高 由于本征激发受温度与光照的影响较大，所以本征半导体材料的电阻率对于温度和光照敏感 二、杂质半导体 * 磷 P（五价元素） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子：电子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 少子 施主杂质 1. N型半导体 2. P型半导体 * 硼 B （三价元素） 多子：空穴 受主杂质 总结：多子浓度是由杂质浓度决定的；少子是由本征激发形成的（所以少子浓度对温度非常敏感） 若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定 三、PN结的形成及其单向导电性 * 扩散 载流子浓度梯度作用下载流子定向运动 扩散电流的大小取决于载流子浓度梯度以及载流子的扩散系数 漂移 外电场作用下的载流子定向运动 迁移率：平均漂移速度的比例因子，空穴和电子的迁移率分别记为μp和μn 1. 载流子的两种运动 2. PN节的形成 * 扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，形成耗尽区（空间电荷区）。 内建电场 耗尽区 * 最终，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，形成PN结。 空间电荷区内几乎只存在固定正负离子，形成内电场，内电场（漂移运动）对载流子的作用方向与扩散运动正好相反。 E 漂移运动 3. PN 结的单向导电性（正向导通） * PN结加正向电压： 外电场与内建电场方向相反，耗尽层变窄， 少子漂移削弱，多子扩散加强，形成正向电 流，PN结处于导通状态。 3. PN 结的单向导电性（反向截止） * PN结加反向电压： 外电场与内建电场方向相同，耗尽层变宽，多子扩 散削弱，少子漂移有加强趋势。但是由于少子数目 有限，反向电流很小，故PN结处于截止状态。 4. PN结电流方程 * 式中 IS ——反向饱和电流 UT ——热电压 在室温下， * 在室温下，设 u = 100 mV, 而 UT = 26 mV， 所以当 u＞100 mV（正向较大信号）时， PN结方程可以简化为 同样当 u ＜ -100 mV （反向较大信 号）时， PN结电流方程可以简化为 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 反向击穿 5. PN结的反向击穿 * 四、PN 结的电容效应 * 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 * PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中（PN结的两侧）载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 由于结电容的存在，若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！因此结电容的大小限制着PN结的频率特性。 * *