CCD图像感器第6讲.ppt

电荷耦合摄像器件的基本工作原理;突出特点:以电荷为信号的载体； 工作过程：信号电荷的产生、存储、转移和检测； 基本类型：表面沟道CCD(SCCD)-电荷包存储在半导体和 绝缘体之间的界面，并沿界面转移； 体沟道CCD(BCCD)-电荷包存储在距离半导体 表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一 定方向转移； ;构成CCD的基本单元是MOS( Metal Oxide Semiconductor 金属－氧化物－半导体)； CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体） CCD是Charge-coupled Device（电荷耦合元件） P型半导体中杂质为周期表中第Ⅲ族的元素，空穴为多数载流子。;紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。;4.1 电荷存储 ;4.1 电荷存储 ;4.1 电荷存储 ;构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)； 紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。;4.1 电荷存储 ;电荷耦合即电荷转移； 通过将按一定规律变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动； 通常把CCD分为几组，每一组称为一相，并施加相同的时钟驱动脉冲。;4.2 电荷耦合 ;三相CCD的电荷在三相交叠驱动脉冲的作用下，能以一定的方向逐单元地转移； CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地从一个电极下转移到相邻电极下。;以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD； 以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD； N型CCD比P型CCD的工作频率高很多。;CCD电极的基本结构应包括转移电极结构、转移沟道结构、信号输入单元结构和信号检测单元结构； CCD转移电极的结构很多； 必须满足使电荷定向转移和相邻势阱耦合的基本要求。;三相单层铝电极结构;光学系统;三相交叠硅栅结构;二相硅-铝交叠栅结构;被测物;四相CCD;模拟信号;表面沟道CCD的信号电荷只在贴近界面的极薄衬底内运动，由于界面处存在陷阱，信号电荷转移过程中将受到影响，从而降低了器件的工作速度和转移效率； 体沟道CCD在半导体体内设置信号的转移沟道，减轻或避免了上述问题。;原理：;式中：η为材料的量子效率；q为电子电荷量； Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。 ;注入时间tc由CCD驱动器的转移脉冲的周期决定； 注入到CCD势阱中的信号电荷只与入射光的光子流速率Neo成正比； 另外，入射光的光子流速率与光谱辐射通量成正比。; 所谓电注入就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷注入到相应的势阱中。 ;N+扩散区和P型衬底构成注入二极管； IG为CCD的输入栅，其上加适当的正电压，以保持开启作为基准电压； 模拟输入信号Uin加在输入二极管ID上。;电压注入法与电流注入法不同之处在于输入电极上加有与CR2同位相的选通脉冲，但其宽度小于CR2的脉宽； 在选通脉冲的作用下，电荷被注入到第一个转移栅CR2的势阱中，直到势阱的电位与N＋区的电位相等； CR2下势阱中的电荷向下一级转移之前，由于选通脉冲已经截至，输入栅下的势垒开始把CR2下和N+的势阱分开。;;由检测二极管、二极管的偏置电阻R、源极输出放大器和复位场效应管VR等单元构成； 信号电荷在转移脉冲的驱动下转移到最末一级转移电极CR2中； 当CR2电极上的电压由高变低时，信号电荷便通过输出栅下的势阱进入反向偏置的二极管中。;;;复位场效应管VR用于对检测二极管的深势阱进行复位； 电阻R的大小对于检测的影响； 复位场效应管在复位脉冲RS的作用下使复位场效应管导通，它导通的动态电阻远小于偏置电阻的阻值，以便使输出二极管中的剩余电荷通过场效应管流入电源，使A点的电位恢复到起始的高电平，为接收新的信号电荷做好准备。;电荷转移效率：一次转移后到达下一个势阱中的电荷量与原来势阱中的电荷量之比。 ; 1.驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为 ； 在信号的转移过程中，为了避免由于热激发少数载流子而对注入信号电荷的干扰，注入信号电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t必须小于少数载流子的平均寿命 ； 所以： 工作温度越高，热激发少数载流子的平均寿命越短，驱动频率的下限越高。 ;电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg ； 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t应大于τg； 所以： 电荷自身的转移时间对驱