以电磁感应写入数据： 以电磁感应读出数据： 介质：硬盘.PDF

3.15 数据储存 C.A.Ross, 材料科学与工程学系, 麻省理工学院 参考数据： Braithwaite 与 Weaver ，电子材料，第3.8-10、3.12与3.3节 Jiles ，磁学与磁性材料导论，第14章 磁纪录-磁带或硬盘纪录系统 以电磁感应写入数据： 当电流流过绕在芯的线圈时，在芯的缺口中会产生磁场。此场可用来在磁盘上写入 数据。 以电磁感应读出数据： 当读取头掠过介质上数据位所产生的边缘场时，在间隙通量的改变使得芯的磁 化强度改变，而在线圈上感应出一个电压降。 此介质通常磁化成平面方向。磁化方向(及相关的边缘场) 的改变代表1。磁化没有改 变代表0 。 读取头材料：软磁、高磁导率、高饱和磁化强度 Permalloy, NiFe Hc ~4 A/m Bs = 0.9T μ = 20,000 (1000 @ 10 MHz) r 高导磁合金 Sendust, FeAlSi Hc ~5 A/m Bs = 1.0T μ = 10,000 r (一种铁硅铝合金) FeN Hc ~100 A/m Bs = 2.8T μ = 1,000 r 介质：硬盘 铝/磷化镍或玻璃基板 (200)结构的铬底层 钴铬铂钽…(1120)结构的合金，在高温下成长已得到铬在晶界的偏析(析出) ， K 所以每个晶粒之间没有耦合且如单一扇区。铂会提高 的值。 1 碳-氮-氢涂布全氟乙醚润滑剂 轨道间距1mm ，位长度~0.1mm 磁带：PET基板(聚对苯二甲二乙酯) γ-Fe O (磁赤铁矿)颗粒混在聚合物黏结剂中。单扇区；瘦长型导致高矫顽力， 2 3 亦可以加入钴来提高。这是一个缺陷的尖晶石结构(尖晶石是AB O ，如，A 2 4 在四面体的位置(注：由四个氧原子包围) ，B在八面体的位置(注：由八个氧 原子包围) ，氧形成面心立方结构) 。 可使用其它种类的颗粒-- CrO , Fe, BaO-6Fe O 2 2 3 磁阻回读 磁性材料的磁组是因为自旋极化的电子通过材料时散射的不同所造成的。如铁Fe 的 6 2 电子组态是3d 4s 。在固体里，自旋向上的电子会比自旋向下的更多2.2个，其排列 平行磁化M方向。假若M与电流方向平行，就有更多散射的机会，所以电阻会较高： ΔR是小的，如对高导磁合金(NiFe)而言ΔR=2% 。 2 异向性磁阻(AMR) R = R + ΔR cos θ o 在一多层结构如Co/Cu/Co/Cu…，Fe/Cr/Fe/Cr…或Co/Cu/NiFe，有一较大的磁阻效应 称做巨磁阻(GMR) 。散射与邻近磁性层的相对的磁化方向有关：若是同方向的，则 电阻较小。此效应可达到约~10% 。与电流方向无关，只与层的相对磁化方向有关。 GMR用来制作读取头。一种称做自旋阀的堆栈方式：反铁磁-铁磁-非磁性-铁磁。 反铁磁层(AF)拴住邻近的铁磁层(FM，固定层) 。另一个铁磁层可随磁盘上之位产生 的边缘场而旋转自己的磁化方向。此堆栈的电阻与两个磁性层间的磁化方向之夹角 有关，所以对磁盘上的