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半导体氮化铟(InN) 的电学性质 - 物理学进展
第 24 卷 第 2 期 物 理 学 进 展 Vol . 24 ,No . 2
2004 年 6 月 PRO GR ESS IN PH YSICS J un . ,2004
文章编号 (2004) 020 1952 1
( )
半导体氮化铟 InN 的电学性质
潘 葳 ,沈文忠
(上海交通大学物理系 ,凝聚态光谱与光电子物理实验室上海市华山路 1954 号 ,上海 200030)
小川博司 ,郭其新
(佐贺大学理工学部电气与电子工程系 ,佐贺 8408502 , 日本)
(
摘 要 : 本文总结了近年来半导体 InN 薄膜材料 主要是六方纤锌矿结构的 InN 及异质
)
结构 的电学性质研究进展 ,重点内容为 InN 的载流子浓度和迁移率 ,造成 InN 中高电子浓
度现象的施主分析 、载流子输运特性及表面 、界面特性等 。同时也涉及了部分立方闪锌矿结
( )
构 InN 的电学特性和 InN 在器件 主要是高电子迁移率晶体管器件 上的潜在应用 。
( )
关键词 : 氮化铟 InN ; 电学性质 ;综述 ;载流子浓度 ;迁移率 ;输运
中图分类号 : O47 文献标识码 : A
0 引 言
近年来 , Ⅲ族氮化物半导体如 GaN 、AlN 和 InN 以及它们的合金由于在光电子和微
电子器件上的广阔应用前景 , 引起了人们极大的兴趣[ 1 ,2 ] 。InN 被认为是低损耗高效电
池 、光学掩膜及多种传感器的优选材料[ 1 ] 。InN 、GaN 和 AlN 的合金带隙对应于可见 - 近
紫外光波段 , 因而使制造 In GaAlN 基的半导体短波激光二极管成为可能[3 ,4 ] 。最近的研
( ) [5~7 ]
究表明 , InN 在太赫兹 THz 辐射中有很好的应用前景 ,在热光伏系统中则可作为等
离子体滤波器材料[ 8 ] 等 。理论计算表明 ,相对于 GaA s 、AlN 和 GaN , InN 具有优越的稳态
( )
和瞬态电子输运特性 ,其迁移率 、峰值速率 、饱和漂移速率和尖峰 over shoot 速率较高 ,其
2 7 [9 ,10 ]
中低场迁移率可以达到 3200 cm / V ·s ,峰值漂移速率可达 4 . 3 ×10 cm/ s ,且这些电
( )
子输运特性不受温度改变的影响 ,可以预计 InN 场效应晶体管 F E T 的截止频率可高于
400 GHz[9 ] ,这些特性使 InN 在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势[9 ,10 ] 。此
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