搭载I2C汇流排的16K位元通用FRAM记忆体-Fujitsu.PDFVIP

NEW PRNEWWWW PRODODUCTSDDDUDD CTSS 2 搭载IC汇流排的16K位元通用FRAM记忆体 MB85RC16 富士通半導體在其通用記憶體產品陣容中新增了內建串列通訊匯流排I²C的16K位元記憶體。 概 要 特 點 照片1 外觀 到目前為止，富士通半導體提供的 FRAM是兼備ROM/RAM優點的 通用FRAM記憶體產品支援3種介面（並列 非揮發性記憶體 通訊、串列通訊SPI和串列通訊I²C匯流 內建串列通訊介面的FRAM系列產品 排），這些產品具有寫入速度快、耗電 可進行即時讀寫（I²C通訊速率1MHz以 低、耐擦拭次數多等特點。為了對節能 內）。FRAM的寫入次數可達1010次，與 及節省資源做出貢獻，推廣綠色產品， E²PROM的106次相比，高出1萬倍以上。 此次，富士通半導體在通用FRAM的產品 在電源關掉和瞬間斷電時，FRAM還能保 陣容中新增了內建串列I²C匯流排16K位 持資料，具有非揮發性記憶體的優點。 元的FRAM系列產品“MB85RC16”，擴充 了支援I²C的產品系列。 不出現Write busy狀態的 該產品與一般的E²PROM接腳相容， 高速擦拭 因此可作為內建I²C匯流排的外接記憶 FRAM可進行資料覆蓋和高速寫入， 低功耗 體與其置換。與E²PROM相比，FRAM耐擦 不會像E²PROM和快閃記憶體那樣發生 該產品的運作在電流為500μA以下 拭次數多，可延長元器件使用壽命，更 Write busy，幾乎在確認字元（ACK） （在1MHz下運作時），待機電流為1μA 可為節省資源和成本做出貢獻。此外， 應答完成的同時，資料寫入也隨之完 以下，有利於降低電流消耗為主的設備 由於寫入速度快，該產品還可用於瞬間 成。與E²PROM相比，可將讀寫時的錯誤 功耗，例如靠電池驅動的可攜式裝置和 斷電時的資料備份，主要應用於要求高 發生率控制到最小限度。 可移動業務終端等。 速資料寫入及大量擦拭的裝置，如汽車 導航儀、影印機、控制裝置等的記錄管 2 表1所示為產品性能指標。 可直接替換E PROM 理與資料備份。 該產品系列內建串列通訊介面I²C 富士通半導體的串列FRAM系列產品 匯流排，接腳（封裝：SOP-8，尺寸： 可進行100億次寫入，最適合於要求需 寬×長＝3.9mm×5.05mm）及命令都與 要連續記錄狀態變化以及頻繁進行資料 E²PROM相容，因此可直接替換使用。 寫入的儀錶等裝置。 表1 產品性能指標 型号 记忆体容量 电源电压 运作频率（最大） 运作温度范围 资料写入次数 资料有效期间 封装 MB85RC16 16K位 2.7～3.6V 1MHz -40～+85℃ 100亿次 10年 SOP-8 Vol.28 No.4 7 MB85RC16 產品規劃 除了此次內建串列通訊介面 I²C 匯 流排的通用 FRAM 記憶體外，今後，富 士通半導體還將