第十二讲半导体存储器.pptx

脉冲数字电路电子技术基础（3）;半导体存储器;半导体存储器的分类;半导体存储器的分类;半导体存储器的主要指标;第七章 半导体存储器;只读存储器（ROM）;ROM的基本结构;固定ROM（掩模ROM）;固定ROM（掩模ROM）;二维译码（双译码）;通常存储器中的存储单元被排列成矩阵形式 地址的选择通过地址译码电路实现，通常采用二维译码（双译码）电路结构： 行地址译码和列地址译码，它们的输出就分别作为存储矩阵的行、列地址选择线 双译码结构有利于减少内部连线和译码延时 地址单元的个数N与二进制地址码的位数n满足关系式：N=2n;PROM结构;EPROM存储器——浮栅管(FAMOS);EPROM存储器——叠栅管(SIMOS);使用叠栅管的EPROM;E2PROM隧道MOS管结构(Flotox MOS);快闪存储器存储单元的MOS管结构;ROM操作实例;ROM读操作时序;ROM的应用;第七章 半导体存储器;RAM的基本结构;输入/输出控制电路;SRAM存储单元;SRAM典型的读操作;SRAM典型的写操作;同步SRAM;基于MOS管栅极电容的电荷存储效应 数据不能长久保存 漏电流 必须定期给电容补充电荷以避免数据的丢失——再生或刷新 常见形式： 三管动态存储单元 单管动态存储单元;三管动态存储单元;三管动态存储单元;单管动态存储单元;为了提高集成度，目前大容量DRAM的存储单元普遍采用单管结构 存储单元电容CS 门控管T 杂散电容CW 读出时： CS上的电荷向CW上转移，因此位线上电压VW为： 由于CS数值远小于CW，则VW很小，需输出放大器 由于CS电荷读出后减少，数据被破坏，需及时补充;DRAM的基本结构;RAM存储器容量的字长（位数）扩展;RAM存储器容量的字数扩展;DPRAM (Dual-Port RAM);FIFO (First-in First-out RAM);DDR(Double Data Rate) SRAM;QDR(Quad Data Rate) SRAM;从IO方式上分类RAM;CAM (Content-addressable memory);RAM存储器的特点比较;SRAM存储单元 Vs. DRAM存储单元;RAM应用;第七章 半导体存储器;北京正负电子对撞机升级BES III –TOF读出电子学;用ROM实现逻辑函数;PROM的PLD表示法;PLA (Programmable Logic Array);PAL的基本结构;PAL16L8;GAL的基本结构;典型的可编程器件的框图;基于乘积项（Product-Term）的PLD结构;乘积项结构PLD的逻辑实现原理;查找表（Look-Up-Table)的原理与结构;LUT结构PLD的逻辑实现原理;Xilinx Spartan-II 芯片内部结构;Altera FLEX/ACEX 芯片的内部结构;EPLD与FPGA比较;在线可编程（ISP）;Xilinx FPGA的发明者，老牌PLD公司，是最大可编程逻辑器件供应商之一 1999年Xilinx收购了Philips的PLD部门 产品： Flash工艺CPLD： XC9500、CoolRunner(XPLA3)、CoolRunner-II FPGA：XC4000、SPARTAN、SPARTAN-II、Virtex/Virtex-E、Spartan-IIE、Virtex-II、Virtex-II pro、SpartanIII、Virtex-4 LX、Virtex-4 SX、Virtex-4 FX Altera 二十世纪九十年代以后发展很快，最大的可编程逻辑器件供应商之一 2015年12月被Intel收购 产品： E2PROM工艺EPLD：MAX7000S/AE、MAX3000A、MAXII FPGA：FLEX10KE/ACEX1K、FLEX6000、APEX20K/20KE、APEXII、Stratix、StratixII、Cyclone、CycloneII、Excalibur、Stratix GX Lattice 是GAL及ISP（在线可编程）技术的发明者，80年代和90年代初是其黄金时期，但很快被Xilinx，Altera超过。中小规模PLD比较有特色，种类齐全。1999年收购Vantis（原AMD子公司）,2001年收购Lucent微电子的FPGA部门，是世界第三大可编程逻辑器件供应商 产品： E2PROM工艺EPLD： ispLSI、MACH、ispMACH4000、ispMACH5000、ispXPLD5000 FPGA：ispXPGA、LatticeEC/ECP ispPAC 可编程模拟芯片 GAL/ispGAL/PAL;P388，7.1.1(2)、(3)、(4)，7.1.2(3) P389，7.2.1 P390