第十章磁性材料.ppt

软磁铁氧体材料 平面型六角晶体结构的软磁铁氧体—— 其易磁化方向垂直于六角结构C轴的平面，故将其称之为平面型六角结构铁氧体。 比尖晶石软磁铁氧体的自然共振频率高很多，因此在高于300MHz的甚高频段使用时，具有比镍锌铁氧体更好的软磁特性。 主要材料为Co2Z、Mg2Y。 Co2Z型软磁铁氧体材料化学式为Ba3Co2Fe24O41，适用于100~1000MHz频段，且在1000MHz频段以下使用时，其磁导率基本不发生变化。 Co2Z型软磁铁氧体的晶体结构 离子取代对Co2Z磁性能的影响 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 软磁铁氧体材料应用的性能要求——四高 高的磁导率?I 高的品质因数Q 高的截止频率fr 高的稳定性（ ??、DF ） 起始磁导率?i—— 式中Ms为饱和磁化强度；K为晶体磁各向异性常数；?为磁致伸缩常数；? 为内应力。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 起始磁导率?i—— 式中Ms为饱和磁化强度；K1为晶体磁各向异性常数；?为磁致伸缩常数；? 为内应力。 要提高?i—— 通过掺杂和离子取代来提高材料的饱和磁化强度Ms ； 选择磁晶各向异性常数K1小的材料体系； 通过调整材料的烧结工艺来减小磁致伸缩系数?以及内应力? ； 优化显微结构。 如MnFe2O4、 NiFe2O4 均是Ms 高、K1小的材料体系，加入Zn有利于减小K1。 理论上提高磁导率的条件 原料杂质少; 气孔少且小，密度高 ； 材料晶粒均匀完整，尺寸要大，晶界要薄; 结构要均匀; 消除内应力。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 起始磁导率?i—— 式中Ms为饱和磁化强度；K1为晶体磁各向异性常数；?为磁致伸缩常数；? 为内应力。 要提高?i—— 通过掺杂和离子取代来提高材料的饱和磁化强度Ms ； 选择磁晶各向异性常数K1小的材料体系； 通过调整材料的烧结工艺来减小磁致伸缩系数?以及内应力? ； 优化显微结构。 如MnFe2O4、 NiFe2O4 均是Ms 高、K1小的材料体系，加入Zn有利于减小K1。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 磁谱及截止频率 磁谱——软磁材料在弱交变磁场中，复磁导率μ = μ‘ - jμ“ 随频率变化的曲线，反映了磁导率的频率稳定性。 对于立方晶系铁氧体来说，根据Snock公式： ?i和fr之间相互制约。其实对其它材料体系也有类似问题。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 磁损耗——从产生的原因看损耗因数tan? 可分为磁滞损耗tan?h、涡流损耗tan?e 、剩余损耗tan??三者之和： 磁滞损耗tan?h ：是指软磁材料在交变场中存在不可逆磁化而形成磁滞回线，所引起材料损耗，大小正比于回线面积。 减小磁滞损耗方法——晶粒小、均匀、完整；晶界厚；气孔少。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 磁损耗——从产生的原因看损耗因数tan? 可分为磁滞损耗tan?h、涡流损耗tan?e 、剩余损耗tan??三者之和： 涡流损耗tan?e ：由于电磁感应引起涡流而产生。 对于金属磁性材料，由于其电阻率低，涡流损耗是主要的，而且随着频率的增加，损耗会急速增加。对于铁氧体材料，由于其电阻率高，涡流损耗小，故可在高频下使用。 减小涡流损耗方法——提高晶粒、晶界的电阻率；晶粒细化增加晶界数量。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 磁损耗——从产生的原因看损耗因数tan? 可分为磁滞损耗tan?h、涡流损耗tan?e 、剩余损耗tan??三者之和： 剩余损耗tan?? ：是软磁材料除涡流损耗和磁滞损耗以外的一切损耗，在低频弱场，主要是磁后效损耗，在高频场，共振尾巴延伸致低频场。 与离子扩散和空位浓度关系密切 减小剩余损耗方法——减少气孔，减少空位的产生。 磁导率温度稳定性—— 主要通过体系选择、掺杂改性来实现。 软磁铁氧体材料性能参数与改善途径 总之，要得到满意的软磁材料，从原材料与工艺方面要求—— 必须用高纯度、高活性的共沉粉料或高纯氧化物为基本原料； 粒度最好在0.1-0.25?m内，一般不掺杂； 晶粒均匀、完整、无气孔、内应力极小晶粒尺寸较大；晶界薄而整齐； 烧结工艺：制造优良的MnZn铁氧体材料，必须采用严格的气氛烧结法如二次还原烧结法、平衡气氛烧结法、高压充氮法； 在基本配方中掺加改善损耗特性的添加剂，并调整工艺，达到提高?的目的。 ★ 金属及合金磁性材料与磁性陶瓷性能比较： 金属及合金磁性材料 磁性陶瓷 电阻 10－8~10－6Ω·m 10~106Ω·m 损耗 高频