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第20组-大叶大学材料科学与工程学系
大葉大學材料科學與工程學系
以草酸法進行鋁陽極化處理之製程參數探討
以草酸法進行鋁陽極化處理之製程參數探討
Anodic aluminum in oxalic acid-parametric investigation
Anodic aluminum in oxalic acid-parametric investigation
謝子瑩 (F9516013) 、鄭宏德(F9516021)
指導老師：姚品全老師 專題生：
童海瑞 (F9516046)
一、摘要 四、結果與討論
本實驗的主要目的是利用鋁片經過陽極氧化處理來製成具有規則奈 (一)拋光時間比較：
米級孔洞陣列的模板，進而討論製程參數。由一般文獻所製得的氧化鋁 由圖所示圖, (a)為未經拋光的鋁片;表面成
模板大部分皆以純度99.9％以上的純鋁片當作基材進行陽極處理；由於純 條紋狀。圖 (b)為經過拋光兩分鐘的鋁片;表面
度99.9％純鋁片因為價格貴也不容易取得，所以本實驗是使用工業純鋁純 的條紋狀漸漸變淡且開始出現許多小孔洞。圖
度為99.7％。本實驗奈米級孔洞陣列的形成是利用草酸法，在固定電壓模 (c)經過四分鐘後，條紋狀已完全消失；出現
式下成長，發現成長過程中穩定且利用二段式陽極氧化處理的氧化鋁 了許多小孔洞。圖(d) 六分鐘後，孔洞分布密
膜，不僅孔洞大小愈均勻且其孔洞的排列也愈規則。 度愈來愈小；表示鋁片表面趨近於平滑。圖(e)
可以很清楚的觀察到鋁片表面呈現平滑；但仍
二、研究動機 有小顆粒、孔洞的出現。圖(f)相較於圖(e) 表
利用氧化鋁奈米多孔模板技術來控制一維奈米結構材料的尺寸大小 面小顆粒與孔洞愈來愈少。圖 (f) 、圖(g)其表
是目前最理想且最成功的方式。藉由氧化鋁奈米多孔模板可輔助成長金 面形貌相較下已並無太大的差異。
屬 (Fe 、Co 、Ni) 奈米線陣列、半導體 ( CdS 、ZnS 、ZnO 、InP 、GaN 、 (a)
GaAs ) 奈米線陣列以及奈米碳( CNTs )管等一維奈米結構材料。由於氧
化鋁模板的孔洞大小相當一致且方向固定，因而以氧化鋁奈米多孔模板
製備金屬、半導體奈米線或奈米碳管的尺寸大小、形狀、長寬比與方向
性皆能精密控制。其未來可能的應用例如奈米磁
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