纳米Ta基阻挡层薄膜及其扩散体系电阻特性研究-中国科学.PDFVIP

中国科学 E 辑 : 技术科学 2008 年 第 38 卷 第 3 期 : 421 ~ 427 SCIENCE IN CHINA PRESS 纳米Ta 基阻挡层薄膜及其扩散体系 电阻特性研究 * 陈海波, 周继承 , 李幼真 中南大学物理科学与技术学院, 长沙 410083 *联系人, E-mail: jicheng@ 收稿日期: 2007-05-11; 接受日期: 2007-06-13 国家自然科学基金资助项目(批准号: 摘要 采用直流磁控溅射方法在p 型(100)Si 衬底上制备了3 类Ta 基 关键词 纳米阻挡层薄膜及其对应的 Cu/barrier/Si 复合膜, 并对薄膜样品进行了 直流磁控溅射 卤钨灯快速热退火(RTA). 用四探针电阻测试仪(FPP), AFM, SEM-EDS, Ta 基纳米薄膜 Alpha-step IQ 台阶仪和XRD 等分析测试方法对样品快速热退火前后的 Cu 扩散阻挡层 电阻特性 电阻特性和形貌结构进行了分析表征. 实验结果表明, 热处理过程中, 凝聚、氧化和稳态效应同时出现, 方块电阻的增大和下降趋势并存; 而 高温退火后Cu 和Si 发生互扩散形成的高阻相Cu3Si 与更粗糙的表面形 貌引起更强烈的电子散射导致了复合膜系方块电阻的急剧增加. 寻找合适的抑制Cu, Si互扩散的阻挡层材料多年来已成为Cu互连工艺研究中的热点课 题 [1]. Ta基薄膜(包括Ta金属及其氮化物等) 由于其良好的热稳定性和电性能一直是阻挡层材料的 研究热点. 退火工艺对半导体器件制备而言是一道必不可少的工序, 而随着器件特征尺寸的 不断缩小, Si片直径的不断扩大, 传统的热处理方法、设备已不能完全满足工艺发展的要求, 这 就导致快速热处理技术的兴起和发展 [2,3]. 国内外对扩散阻挡层的研究基本集中在其退火后阻 挡特性和失效机制等方面, 如研究制备方法(溅射, CVD), 阻挡层的微结构和厚度以及样品退 火所处的气氛对阻挡特性的影响等 [4~6], 在其他方面尚无实际的研究工作. 故研究热处理前后 纳米Ta基阻挡层薄膜及其扩散体系的电阻特性对阻挡层材料的选择及Cu互连工艺的可靠性均 具有重要意义. 1 实验 利用 TXZ550-I 型磁控溅射镀膜设备在(N )/Ar 气氛中制备了 Ta, TaN 和 Ta-Al-N 纳米薄膜. 2 x 421 陈海波等: 纳米 Ta 基阻挡层薄膜及其扩散体系电阻特性研究 实验采用电阻率为 33~35 Ω·cm 的p 型抛光 Si(100)片作为衬底, 并采用标准湿法清洗工艺RCA −3 方法清洗. 薄膜沉积过程中本底真空度达 1×10 Pa, 工作气压固定为 0.9 Pa, 靶-基距为 6 cm. 为制备不同成分的薄膜, 改变 Ta 靶溅射功率, N2 流量和 Al 靶溅射功率, 表 1 给出了样品编号 和制备工艺参数.