新型非易失相变存储器PCM应用研究指南.pdfVIP

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2017-06-22 发布于福建
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新型非易失相变存储器PCM应用研究指南.pdf

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ISSN 计算机研究与发展 1000—1239／CN11—1777／TP of Researchand JournalComputer Development 新型非易失相变存储器PCM应用研究刘金垒李琼 (国防科学技术大学计算机学院长沙410073) (1iujinleil98766@126．corn) ResearchonNewNon—VolatilePhase PCM Application ChangeMemory Liu andLi Jinlei Qiong 410073) (CollegeofComputer，NationalUniversityofDefenseTechnology，Changsha AbstractParallelI／Ohas itisdifficulttoreducetheaccess optimizedi／operformanceeffectively，but Phase a sortof Class distinct Memory)，has 1atency．TheChangeMemory，as SCM(Storage charactersof readandwrite，10W volumeand non—volatile，randomly latency，highthroughput，small low adirectandeffectivefor the powerconsumption，itprovides wayoptimizingI／o this PCM’Scharacteristicsand existedarestudied，someresearch on paper，the problemS progress PCM aresummarized．Tosolve hierachical application parallelI／Oproblems，a paralleli／ostorage modelbasedonPCMis can the onmetadataserviceandthe introduced，which improveefficiency of in file parallelI／O system． throughput parallel words memory；PCM；SCM；hierachicalparallelhybridstorage Key phasechange 摘要并行I／O技术有效优化了i／o性能，但对访问延迟却难以控制．相变存储器(phase change class memory，PCM)作为一种SCM(storagememory)，具有