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Vol.45 No.11 第 45 卷 第 11 期
中 国 陶 瓷
中 国 陶 瓷 中 国 陶 瓷 2009年 第 11 期
Nov.2009 2007年 第 1 期
2009年 11 月
综述与评述 文章编号 :1001-9642(2009)11-0014-05
光催化用TiO 薄膜中金属掺杂离子存在状态研究进展
2
邢 卓,王秀峰,程 冰
(陕西科技大学材料科学与工程学院, 西安 710021)
【摘 要】:介绍了国内外在金属离子掺杂改性 TiO薄 律方面,取得了许多成果。这些研究对于光催化 TiO 的
2 2
膜的最新成果。分析取代型、产物型、间隙型、集聚型等 应用、性能的改善等方面都具有重要意义,也面临新的
四类掺杂离子在 TiO2 中的存在形式。介绍了几种金属离子 困难,如掺杂离子存在状态确定、吸光区域红移等。综上,
的掺杂方法。总结了掺杂方法、工艺参数、结构形式及用 笔者将对金属离子掺杂在 TiO 纳米晶薄膜中对吸光性能
2
量对薄膜性能的影响规律。 的影响进展进行介绍。
【关键词】:TiO薄膜,掺杂,光催化,纳米晶
2 1 光催化机理及过程
中图分类号:TQ174.75/TQ032 文献标识码:B
1.1机理
锐钛型 TiO 的禁带宽度为 3.2eV,当它吸收了波长
引 言 2
小于或等于 387.5nm 的光子后,价带中的电子就会被激
纳米晶 TiO 自上世纪 70 年代被日本科学家发现可
2
光照分解水以来一直被广泛关注 [1]。这种材料具有优良的 发到导带,形成带负电的高活性电子 ecb-,同时在价带上
产生带正电的空穴 h + 。空穴能够同吸附在催化剂颗粒表
光学性质、磁学性质、耐化学腐蚀性、良好的塑性、高 vb
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