薄膜中氧污染的初步研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ !! %%# !! ， ， ， LF? 0’ 7F 0 !! 7FXE5YEZ %%# （ ） !%%%+#(%S%%#S’ !! S)8’+%’ =JU= K/V,WJ= ,W7WJ= %%# J@-6 0 K@B[ 0 ,F* 0 甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积 !#$ % ! 薄膜中氧污染的初步研究! ））） ） ） ） ） ） ! # $ ! ! ! ! ! 杨恢东 吴春亚 赵 颖 薛俊明 耿新华 熊绍珍 !）（南开大学光电子研究所，天津 #%%%!） ）（五邑大学薄膜与纳米材料研究所，江门 ’(%% ） # ）（东华大学理学院，上海 %%%’!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %% !! ( %%# # !) 对不同的本底真空条件下，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（*+,- . /）薄膜中的 ! 氧污染问题进行了比较研究 对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的 射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光 0 1 谱测量结果表明： 薄膜中，氧以 — ，— 和 — 三种不同的键合模式存在，不同的键合模式源自不同 *+,- . / ,- 2 2 2 2 / ! 的物理机理0 *+,- . / 薄膜的34546 光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同， ! 对 *+,- . / 薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对 *+,- . / 薄膜电学特性的影响不同于氢化非 ! ! 晶硅（ ：）薄膜 4+,- / 0 关键词：氢化微晶硅薄膜，甚高频等离子体增强化学气相沉积，氧污染 ： ， ， ， ’()) )%7 #8%9 )!!’/ 8:%; ［ ， ］ 究工作! !# ，并没有得到足够的重视 因此，深刻研 0 !H 引 言 究与揭示氧污染对 *+,- . / 薄膜结构及特性的影