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模拟电子技术 电子教案 V1.1 Microelectronics Circuit Analysis and Design 引言：多级放大输入级提高Ri的途径 引言 Ch03-04 FET场效应管及其放大器 3.6 Junction Field-Effect Transistor 3.6.1 PN JFET和MESFET的工作原理 (2) 工作原理 3.6.2 电流-电压特性 综上分析可知 引言 3.1 MOS Field-Effect Transistor 3.1.2 N沟道增强型MOSFET 3.1.3 NMOS管理想的电流-电压特性 (2) 转移特性 3.1.7 其他的MOSFET结构和电路符号 3.1.8 MOS晶体管工作原理小结 3.2 MOSFET电路直流分析 分析思路 3.2.1 共源电路 (2) 直流分析：求Q并判断 例8.3.1 例8.3.4 (3) 常用偏置特点 第4章 基本FET放大器 4.1 MOSFET放大器 4.1.2 小信号等效电路 4.2 MOSFET放大器的基本组态 4.3 共源放大器电路 4.4 共漏（源极跟随器）放大器 4.6 三种基本组态的总结和比较 教学基本要求 掌握结型场效应管的工作原理和特性曲线 了解MOS场效应管的工作原理、特性曲线 了解FET放大电路的静态偏置特点及求解思路 掌握用小信号模型分析法分析动态性能 了解双极型三极管和场效应管放大电路的特点 4.5 共栅放大器 3.6.3 常见JFET电路的直流分析 解: 电路如图8.3.1b所示，已知Rg1=300k?，Rg2=200k?，Rd=5k?，R=0，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.5mA/V2，试计算电路的静态工作点的值。 图8.3.1（b） 由于VDSQ＞(VGSQ?VT) = (2?1)V = 1V， 说明该场效应管确实工作在饱和区，上面的分析是正确的。 如果初始假设被证明是错误的，则必须重新假设，并重新分析电路。 设N沟道增强型MOS管工作在饱和区 增强MOS管 共漏极电路如图8.3.8所示，其中场效应管为N沟道结型 场效应管。已知Rg1=2M?，Rg2=47k?，Rg3=10M?，Rd=30k?，R=2k?，VDD=18V，场效应管的VP=?1V，Kn=0.5mA/V2，且?=0。 试确定Q点，并计算电压增益、输入电阻和输出电阻。 图8.3.8 例8.3.4电路 解： ① 首先计算Q点 VGSQ = 0.4 ? 2IDQ 设场效应管工作在饱和区 因 IDSS =0.5mA，所以IDQ = 0.31mA。 VGSQ= ? 0.22V， VDSQ= VDD?IDQ (Rd +R) =8.1V。 Kn＝IDSS/Vp2 vDS＞VDS(sat)=vGS－VP 若IDQ = 1.59mA。 VGSQ= ? 2.78V Rd 3.2.1 共源电路 (2) 直流分析：求Q并判断 公式估算法确定静态工作点(VGSQ 、IDQ和VDSQ)： 图解法 与半导体三极管放大电路类似 饱和区 转移特性方程 G、S偏置方程 沟道所在回路KVL方程(负载线) 耗尽MOS管 结型场效应管 增强MOS管 分压式 自偏压电路 自偏压电路 计算结果的判断条件见3.1.8节的总结 3.2.1 共源电路 3.6.3节 图3.66 3.2.1节 图3.27 单个RB偏置 电压分压器偏置 正负电压偏置(0RB) VGS可正可负 适用所有NFET VGS 0 只适用耗尽型 也称自偏压电路 VGS 0 只适用增强型 判断条件见3.1.8节的总结 4.1 MOSFET放大器 4.2 MOSFET放大器的基本组态 4.3 共源放大器电路 4.4 共漏（源极跟随器）放大器 4.5 共栅放大器 4.6 三种基本组态的总结和比较 4.7 集成电路单级MOSFET放大器 4.8 多级放大器 4.9 基本JFET放大器 (与4.3-4.4合并) Chapter 4 Basic FET Amplifiers 4.1.1 图解分析法、负载线和小信号参数(自学阅读) 4.1 The MOSFET Amplifier 4.1.2 小信号等效电路 4.1.3 考虑基体效应的模型 要点： 根据图解法讨论交流信号的放大过程，引出小信号模型。 小信号 －交流等效电路的线性化。 线性化的近似讨论、交流等效电路引出 NMOS的2种小信号等效电路及参数 与BJT对比引出FET的小信号等效电路(模型) 三种N沟道FET的小信号等效电路(模型) 与BJT对比引出FET的小信号等效电路(模型)