EL测试在晶硅电池及组件质量控制中的应用.PDF

ELECTRONICS WORLD 技术 交流 ・ EL测试在晶硅电池及组件质量控制中的应用 中电投西安太阳能西宁分公司 高艳飞 申海超 【摘要】 基于电致发光（Electroluminescence,EL）的理论，本文介绍了利用近红外检测的方法，检测出了晶体硅太阳电池和组件内部常见的 隐性缺陷。这些缺陷包括：材料缺陷、高温扩散缺陷、金属化缺陷、高温烧结缺陷、工艺诱生污染以及生产过程中的裂纹等，并简要分析了 造成这些缺陷的原因，通过EL测试可以发现以往常规手段难以发现的品质缺陷，对电池品质提升大有裨益。 【关键词】 太阳电池；电致发光；电池缺陷；隐裂；断栅 分布会出现明显差异，从而导致图像显示存在明暗差异。通过对 0 引言 EL测试图像分析可以及时清晰的发现晶硅电池及组件内部存在的 隐性缺陷，这些缺陷包括硅材料缺陷（位错、层错、参杂异常）、 随着光伏行业的迅猛发展，光伏产业已经度过了野蛮生长阶段，光 扩散缺陷（方阻不均匀）、印刷缺陷（断栅、虚印）、烧结缺陷 伏产品的质量要求也在不断提高，光伏组件质量控制环节中测试手段的 （履带印）、工艺污染以及组件封装过程中的隐形裂纹等。 不断增强，原来的成品外观检验和电性能基础测试已无法满足行业的对 产品质量的需求。目前EL测试设备已经被大部分光伏制造企业应用于晶 2 EL测试常见缺陷及分析 体硅太阳电池及组件生产线，用于成品检验或在线产品质量控制，EL是 英文electroluminescence的简写，中文叫做电致发光或场致发光。 2.1 破片 由于晶硅电池破裂后，电流在其破裂区域无法形成回路，从而 1 EL测试的原理 导致该区域在EL测试图像中显示局部不发光，因此破片在EL测试 图像中表现为电池片中有不规则黑块（见图4 ）。电池生产过程中 在晶硅电池内部，只有少子的扩散长度大于势垒宽度，电子和空穴 破片主要集中在测试分选工序，可通过人工分选将其剔出。 才能通过势垒区时而不会因复合而消失。正向偏置电压下，p-n结势垒 区和扩散区注入了少数载流子，这些非平衡少数载流子不断与多数载流 子复合而发光，这就是太阳电池电致发光的基本原理[1] （见图1[2] ）。 EL Tester 测试的原理：在暗室中，对晶硅电池外加正向偏置电 压，其目的是向晶硅电池注入大量非平衡载流子，并依靠从扩散区 注入的非平衡载流子不断地复合，产生光子。再利用噪音小，且在 900-1100nm光谱范围内具有较高灵敏度的CCD相机捕获到部分光子， 然后经过计算机进行处理后，以图像的形式显示出来。[3] （见图2 ）。 图3 EL强度决定于正向注入电流密度和少子扩散长度 图1 EL测试原理图 图4 组件破片EL图像 2.2 隐裂 由于硅材料本身比较脆，易碎，因此在晶硅电池生产和组件封 装过程中极易产生裂纹。裂纹一般分两种，显裂和隐裂。显裂是可 以通过肉眼直接看到的明显裂纹，在电池生产过程中可通过人工分