中华传播论文范本 - HMLT低温高磁实验室.DOCVIP

大學部畢業論文(初稿) 題目：利用pHEMT製作低溫低雜訊寬頻放大器 研究單位：中興物理 學生姓名：林玉敏 指導老師：孫允武副教授 摘要 我們使用Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors(pHEMT)元件來設計與製作一低溫低雜訊寬頻小訊號放大器，所使用的pHEMT元件為全訊科技股份有限公司Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs)。 藉由分析在室溫與在77K下所測量的元件之IV特性曲線，選擇出一個良好的直流工作點(DC operating point)，並分別測量小訊號放大器電路在室溫與在77k下的放大率。 由較佳的測量結果得到單級放大器電路在室溫下的放大率為6~9dB，頻寬為7kHz~15MHz。在77k下，頻率在13~14MHz之間有最大約6dB之的放大率。 序言 本論文為”利用pHEMT製作低溫低雜訊寬頻放大器”。利用假形高移動度電晶體(pseudomorphic high electron mobility transistor，pHEMT)可以在低溫下操作，低雜音的元件特性，製作低溫低雜訊寬頻放大器。 Chapter 1放大器之工作原理 主要為介紹pHEMT的基本構造和動作原理，並大致說明為何可以在低溫下操作。 Chapter 2電路製作 為介紹pHE