以次大气压化学气相沉积法成长低应力氧化矽薄膜进行深沟槽填补及在.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 以次大氣壓化學氣相沉積法成長低應力氧化矽薄膜進行深 溝槽填補及在微機電系統之應用 計畫類別：個別型計畫 計畫編號：NSC92-2218-E-002-058- 執行期間：92年12月01日至93年07月31日 執行單位：國立臺灣大學生物產業機電工程學系暨研究所 計畫主持人：張建六 報告類型：精簡報告 處理方式：本計畫可公開查詢 中 華 民 93年7月12日 國 以次大氣壓化學氣相沉積法成長低應力氧化矽薄膜進行深 溝槽填補及在微機電系統之應用 少電容值的能力。同樣地，二氧化矽對 簡介 本研究主要是是利用矽源 微機電系統 2H5)4 ））/臭氧（ozone） （TEOS（Si(OC systems, MEMS）來說也是一個很有吸 在電漿加強式化學氣相沈積法（Plasma 引力的材料，因為它具有低的熱和電導 Enhanced Chemical Vapor Deposition , 電率、低熱膨脹係數和良好的機械強 PECVD）和次大氣壓化學氣相沈積法 度。目前，在先進半導體元件（如多層 （Sub-atmospheric Chemical Vapor 連接 [1]）和MEMS（如慣性感測器 [2]） Deposition ,SACVD）下沈積出低應力 都會出現深溝槽的結構。特別當MEMS 的二氧化矽薄膜來進行深溝填補。實驗 元件做到愈來愈高深寬比的步驟時（如 中用了兩種PECVD的沈積方法：天線捲 微機械元件的封裝或微封裝 [3-5]）， 電感耦合電漿（Inductively Coupled 溝槽填補絕對能夠簡化後續的製程。 Plasma ,ICP）和平行板電容耦合電漿 在MEMS裡，用來填補溝槽的這一 （Capacitive Coupled Plasma, 層物質，可以當作微機械元件密封洞 CCP），發現在沈積的過程中加入臭氧可 口的薄膜、蝕刻阻擋層 [6-7]、犧牲 以提高填洞的能力，在深溝（5微米寬、 層（如陀螺儀 [2]）、或如圖1a所示， 52微米深）的填補過程，利用SACVD沈 當作一個懸浮結構下的熱絕緣層（微 積出的氧化物可以得到非常好的階梯 機械加熱矽島 [3]）。圖1表示本研究 覆蓋能力，且以電感耦合電漿化學氣相 所討論的幾個溝槽，圖1c表示有部分 沈積法（Inductively Coupled Plasma-溝槽被填補了。這裡要先定義一下階 Plasma Enhanced Chemical Vapor梯覆蓋的參數：底部階梯覆蓋（b/a） Deposition, ICP PECVD）沈積的氧化和側壁階梯覆蓋（c/a）[7]，溝槽的 層可以當作封裝的一個材料。在本研究 深寬比是指溝槽深度和寬度的比值。 當中，也會探討在PECVD中加入Ar離子 在很多的填補過程中會出現如圖1d的 進行撞擊和外加磁場對填補能力的影 孔洞出現，然而在一個感測結構上用 響。因為PECVD和SACVD都是在低溫中進 一層薄膜來密封洞口或在Power MEMS 行，因此可以得到較低的熱殘留應力 或Bio MEMS [5,8]等應用上形成一個 （85MPa的低壓縮應力薄膜）。 微流道時，需要較低的階梯覆蓋（b/a） 和低側壁覆蓋（c/a）。而厚的二氧化 1