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硅外延及其应用-云南冶金
2013 6 Jun.2013
42 3 ( 240 ) YUNNANMETALLURGY Vol42.No3(Sum240)
1,2 2 2
, ,
(1. , 650031;
2. , 650500)
: , (MBE)、 (CVD)、
(LPE) , Si 。
:MBE;CVD;LPE; ;
+
:TN30412 :A :1006-0308(2013)03-0046-05
EpitaxialSiliconandItsApplication
1,2 2 2
XUYuan-zhi ,HULiang,WUZhong-yuan
(1.KunmingYeyanNew-MaterialCo.,Ltd.,Kunming,Yunnan650031,China;
2.CollegeofChemicalEngineering,KunmingUniversityofScienceandTechnology,
Kunming,Yunnan650500,China)
ABSTRACT:Siliconepitaxygrowthtechnologyisintroduced,andthreekindsoftechnologiesappliedtosiliconepitaxyaresumma
rized:molecularbeamepitaxy(MBE),chemicalvapordeposition(CVD),liquiddeposition(LPE),andtheapplicationofSibaseepitaxi
almaterialdeviceisalsointroduced.
KEYWORDS:MBE;CVD;LPE;siliconepitaxy;application
、 、 PW
、 。
, / 。 ,
,95% 99% , MPU、 、
(IC) 。 21 , 、DRAM , CMOS ,
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