第5章光电子器件及其应用.PPT

5.1.1 发光二极管 一、发光二极管的符号及特性 发光二极管主要参数 光电晶体管型光电耦合器的响应速度快，线性度好，电流传输比CTR小，适用于要求速度快，线性度好，信号较强的场所； 达林顿晶体管型光电耦合器响应速度慢，线性度好，电流传输比CTR大，适用于小信号场合。 因此实际应用中必须根据条件加以合理选用，常见的有4N××系列、TLP×××系列、MOC××××系列等。 四、光电耦合器的选用 四、光电耦合器的选用 光电耦合器根据电流传输比和光电耦合器发光二极管电流特性曲线不同可分为线性光耦合器和普通光耦合器两种。 两种光电耦合器的CRT－ IF特性曲线如图5.3.7所示，其中虚线为线性光电耦合器，实线为普通光电耦合器，从图中可以看出普通光电耦合器CRT－ IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光电耦合器的CRT－ IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流传输比 ΔCTR＝ΔIL/ΔIF很接近于直流电流传输比CTR值，可用于模拟信号的传输。 四、光电耦合器的选用 图5.3.7 两种光电耦合器的CTR-IF特性曲线 四、光电耦合器的选用 线性光电耦合器典型产品有PC816A、PC817A、CNY17-3、SFH600-2、CNY75G、MOC8101等。 国内目前广泛应用的由英国埃索柯姆（Isocom）公司和美国摩托罗拉公司生产的4N××系列光电耦合器如4N25、4N26、4N35，呈现开关特性，其线性度差，适用于传输数字电路。 在开关电源中，光电耦合器用在输出电压取样、反馈电路部分时，应选用线性光电耦合器。 5.3.3 集成光电隔离放大器及其应用 把运放和光电耦合器集成在同一芯片上，称为集成光电隔离放大器。光电隔离放大器ISO100如图5.3.8所示。 它由A1、A2两个运放和IREF1、IREF2两个恒流源以及一个光电耦合器组成。光电耦合器由发光二极管LED和光电二极管VD1、VD2组成，对输入侧、输出侧起隔离作用。两侧电源与地均相互独立。 图5.3.8 光电隔离放大器ISO100 图5.3.8中A1为单位增益电流放大器（电流放大倍数为1）起电流电压转换器作用，IREF1、IREF2为A1、A2提供基准电流。 5.3.3 集成光电隔离放大器及其应用 当ISO100单极性工作时，引脚16、17、18相连，A1的同相输入端的电流必须由内电路向外流出，当输入电流i1增加时，A1的输出电压上升，驱动电流流过发光二极管LED，LED电流增加，VD1的电流也随之增加。最后使A1的反相输入端的总电流为0。 VD1起反馈作用，起稳定环路的作用。流过VD1的电流应当等于输入电流和偏流之和，于是偏流不会流经外加的信号源。光电二极管VD1、VD2参数完全相同(称为全匹配)，所以流过VD1、VD2的电流相等。使用时，R f接在③、⑦引脚之间(如图5.3.8虚线所示)，VD2产生的电流全部流入R f ，因的偏流很小，约10 nA，可忽略不计，所以输出电压 uO ≈ i1Rf 光电二极管图片 在图5.2.1（b）中，光敏二极管在外加反偏电压的作用下工作于光导模式，当未受光照时即有一微弱的二极管反向漏电流ID（0.3μA）称为暗电流(Dark current)流过，该反向漏电流满足普通二极管的伏安特性方程，即 式中，IS为二极管的反向饱和电流，UT为温度的电压当量（常温时为26mV），U为外加负偏压。 当有光照时产生光电流－IL，其中的负号表示光电流的方向是从二极管的N区流向P区，即与外电路所标注的电流方向相反，IL的值与入射光子数或入射光功率成正比。此时负载RL上的电流为上述两种电流的相量和，即 在图5.2.1（c）中，光敏二极管在无外加偏压下工作于光伏模式，未加光照时电路中无电流流过，当有光照时产生光电流（又称亮电流Photo current），该光电流在外电路的负载RL上产生的光生电压U反过来加于光电二极管上，这等于给PN结加了一个正向偏压，从而在PN结上又会产生正向电流，其表达式如上式ID所示。 上述两种电流的叠加就是此时流过负载RL的总电流，其表达式与(5.2.2)式完全一样。 光电导模式中的U为外加负偏压，而光伏模式中的U则为正的光生电压。 灵敏度 它是给定的入射光的光电流与光照功率（或光照强度）的比值，该值愈大愈好，其典型值为0.1μA/I