薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高-发光学报.PDFVIP

第32卷摇 第12期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾32 No郾12 2011年12月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Dec. ,2011 文章编号:1000鄄7032(2011)12鄄1281鄄05 薄膜热处理对 ZnO薄膜晶体管性能的提高 1,2 3 3 3 2 1,2 张摇 浩 ,张摇 良,李摇 俊 ,蒋雪茵 ,张志林 ,张建华 (1. 上海大学 机电工程与自动化学院,上海摇 200072; 2. 上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海摇 200072;摇 3. 上海大学 材料学院,上海摇 200072) 摘要:制备了两种以SiO 为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源 2 2 层。 与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm / (V ·s)增 2 大至3.12 cm / (V ·s),阈值电压由20.8 V 减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/ dec 减小至 1.9 V/ dec。 25 V 直流电压施加3600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4 V。 实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO鄄TFT器件的电学性能和偏压稳定性。 关摇 键摇 词:薄膜晶体管;ZnO;稳定性;退火 中图分类号:TN321.5摇 摇 摇 PACS:73.61.Gn摇 摇 摇 PACC:7360L摇 摇 摇 文献标识码:A DOI:10.3788/ fgx1281 重要的原因就是稳定性问题。 ZnO鄄TFT 的不稳定 1摇 引摇 摇 言 性主要表现为: 薄膜晶体管已经广泛应用于平板显示领域。 (1)在栅偏压老化过程中的阈值电压漂移; 目前,液晶显示器采用的是非晶硅薄膜晶体管 (2)温度变化引起的不稳定性。 (a鄄Si TFT)和低温多晶硅(poly鄄Si)薄膜晶体管。 这种不稳定性在电流驱动的OLED 中更重 近年来,主动式有机电致发光显示器件(AM鄄OLED) 要,因为它会导致像素的亮度不稳定。 克服不稳 逐渐在显示产品中占据了一席之地,传统的a鄄Si 定性的主要方法是减少界面缺陷态密度。 许多研 TFT 由于迁移率低,已经无法满足 AM鄄OLED 电 究小组对不稳定性的机理、原因以及解决方法展 [1] [8] 流驱动的需要 。 虽然多晶硅 TFT 的迁移率较 开了研究。 2006 年,Crossy 等 指出器件不稳定 2 -1 -1 [2] 高(50 cm ·V ·s ) ,但多晶硅TFT 的制 的主要原因是器件绝缘层及界面存在陷阱态,产 备工艺较为复杂,成本较高,不利于工业化大规模 生了对外加电场的屏蔽,使得有效电场减弱。 生产。 和通常的多晶、非晶TFT 相比,ZnO鄄TFT [9