识别抛光矽晶圆上大型、影响良率的缺陷的新方法-YMSMagazine.PDFVIP

專題報導 識別拋光矽晶圓上大型、影響良率的缺陷 的新方法 、 、 、 Kerem Kapkin KeunSu Kim Jason Saito Hyosik Suh – KLA-Tencor Corporation 、 、 、 Chung Geun Koh Dae Jong Kim Byeong Sam Moon Seung Ho Pyi – Hynix Semiconductor Corporation 對於 45 奈米世代的晶圓而言 ，裸晶圓檢測技術的創新使得大而短淺之缺陷的捕獲與分類能力有所提昇。新的分類 技術是結合多管道處理之後 ，使得晶圓製造商與 元件製造業者能夠找出這些缺陷，並且根據缺陷是否能夠清除將它 IC 們歸類 ，或是要求廢棄晶圓。在製造過程中儘早識別這些缺陷將能夠改善產品品質及提昇良率。 隨著元件體積的持續縮小 ，晶圓表面狀況、缺陷大小、 晶圓製造商需要能夠檢測及準確識別這些缺陷 ，並且將 形狀及類型也逐漸成為影響元件產量、效能與可靠性的 它們與大型微粒的背景缺陷群作區分 （後者缺陷可以透 重要因素 。 （半導體國際技術藍圖 ， 過清潔或重製晶圓的方式解決），同時避免不必要的晶 ITRS International Technology Roadmap for Semiconductors ）原則規定裸晶圓 圓捨棄 。同時 ，由於LLPD 是多種晶圓製造程序問題導 表面上重要缺陷的靈敏度等於設計線寬的一半。 致的結果 ，因此晶圓製造商必須要快速地找出LLPD 根 源 ，執行解決措施以避免不必要的晶圓廢棄。 在同一時間， 製造商一直在降低允許驗收進廠晶圓的 IC 缺陷總數的規範 ，現在也會指定在大型光點缺陷(LLPD) 在本篇文章中 ，我們所示範的方法是利用新的無圖樣 上的限制。這些LLPD 體積很大 ，但是也非常淺 ：它們可 晶圓檢測系統Surfscan SP2XP 將這些重要的LLPD 加以分 能有數個微米寬 ，但是高度卻只有幾奈米而已。 是 類 。此系統最新的GC （全域複合）與RBB （規則基礎 LLPD 在單晶矽錠成長以及在後續的晶圓製作與表面預處理製 分類）技術已經證實在晶圓製造商的最終檢測步驟與IC 程期間所產生。這些LLPD 會在進料的芯片矽晶圓上以平 元件製造IQC （進料品質控制）應用方面皆有顯著成效。 面凹洞或凸塊、氣囊和拋光刮痕等形式出現 ，同時有非 常高的可能性會成為扼殺良率的缺陷。因此 ， 製造商 IC 必須在元件製程開始之前識別並挑出帶有LLPD 的晶圓。 Particle COP Residue Scratch 0.1µm 0.1µm 0.1µm 0.1µm 圖 ：在檢測與分類時需要更高靈敏度的傳統缺陷或 （亮點缺陷）。 1 LPD 2007 年夏季刊 Yield Management Solutions | /ymsmagazine  專題報導 晶圓缺陷類型及其來源 會影響元件良率的傳統小型 （次微米）缺陷包括微粒、 Large defects (~16µm) COP （晶體原生的空坑或微粒）、殘餘物和刮痕將會被 清楚描述。這些缺陷類型的範例示圖在圖 中。晶圓上 1 的大型微粒缺陷可能來自污染物處理、製程設備