金属硅提纯技术.PDFVIP

金属硅提纯技术 天津希力斯新能源技术研发有限公司 河北工业大学 徐岳生 王海云 刘彩池 李岚 0 前言  新材料是当代新技术的先导，高新技术的 突破与产业化，必先有新材料的突破。当 代光伏产业的发展，必须有低成本、能大 批量稳定生产的半导体硅生产做后盾！ 2N金属硅提纯，是当前降低光伏发电单瓦 成本，推进光伏产业飞速发展，最具潜力 的途径！ 1 分凝效应  通过2N金属硅的熔体提纯，用于太阳电池 芯片制造，其原理首先是利用硅中杂质在 熔硅凝固时固液界面处的分凝效应，把杂 质赶到硅晶锭的最后凝固部分，并通过切 除该部分而达到提纯的目的。其基本原理， 如图一所示。 固液界面 （生长界面） 界面推移 硅晶锭 硅熔体 （已凝固部分） （未凝固部分） l L 图一 杂质在界面处的分凝 C k C k 0 ：杂质在熔硅凝固时平衡分凝系数 S 0 L CS ：凝固部分的杂质平均浓度 CL ：剩下未凝固部分硅熔体的杂质平均浓度 产生杂质分凝的物理本质是杂质由固体 硅穿过固液界面扩散到熔体硅，与由熔体 硅穿过界面扩散到固体硅所需要克服的势 垒不同。如图二所示。 固液界面 （生长界面） 固体 熔体 杂质 θ L θ 杂质 S θ ：杂质由固体→熔体要克服的势垒 S θ ：杂质由熔体→固体要克服的势垒 L 图二 杂质分凝效应的统计解释 设杂质由固相穿过界面到熔体，需克服的 势垒为θ ；而杂质由熔体穿过界面，到固相需要 S 克服的势垒为θ 。当θ ＜θ ，就会使杂质在凝固 L S L 的尾端富聚；若θ ＞θ ，就会使杂质在凝固的始 S L 端富聚，造成了所谓的分凝效应。 由于硅中大部分杂质，θ θ （k 1 ），随 S L 0 着凝固时固液界面向熔体的推移，大部分杂质也 就向最后凝固部分集聚，待凝固完毕后，切除尾 部，便可以达到提纯的目的。 当凝固速率无限缓慢（准静态生长）时，k 存在。 0 实际生产都有一定的生长速率，此时k 要向k （有效 0 eff 分凝系数）转变，实际分凝是按有效分凝系数进行的。