二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究.pdfVIP

第22卷 第6期 液 晶 与 显 示 VoI．22．NO．6 2007年12月 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays Dec．，2007 文章编号：1OO7—278O(2OO7)O6一O672～O5 二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究 陈媚媚 ，郑陶雷 ，王宗利 ，李俊杰 ，顾长志 (1．北京交通大学 电子信息工程学院，北京 100044，E-mailbjtu．edu．en； 2．中国科学院物理研究所，北京 100080) 摘 要：利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列，并研究其场致电子发射特 性。研究结果表明，所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构，可以通过反应时间的 不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列，从而实现可控生长。在研究场致电子发射方面， 我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能，开启电场为 1．4 V／／zm，对应 的发射电流密度为10 A／cm2；当电场强度为7．4 V／ m时，发射电流密度高达2．48 mA／cm2。 这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵 列分布比较均匀造成的。测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段，我们认为这是由于 在不同的电场下，发射电流由不同高度的梭形结构引起的，不同高度的梭形结构由于长径比 不同因而具有不同的场增强因子，从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段。 关 键 词：场发射；二氧化锡纳米梭阵列；热蒸发 中图分类号：TN873．95 文献标识码：A 射线衍射(XRD)仪和透射电子显微镜(TEM)对 1 引 言 所得到的二氧化锡纳米梭的形貌和微结构进行了 二氧化锡作为一种N型宽禁带半导体氧化 表征。我们重点研究了二氧化锡纳米梭阵列的场 物，被广泛地应用于气体传感器、电池和透明导电 发射特性，发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列具 薄膜中口q]。近年来，人们越来越多地关注各种 有优异的场发射性能。 一 维结构的二氧化锡纳米材料的合成及其物性研 2 实 验 究，并发现一维二氧化锡纳米材料具有更加优异 的物理特性[4 ]。电子发射性能是材料的一种重 将锡颗粒放入氧化铝舟中，在其正上方约 要的物理性质，已经有很多文献报道关于一维纳 5 mm处放置硅片，硅片镀有约30 nm金膜的一面 米结构的场发射特性，如碳纳米管 ]、氧化物纳米 向下，用来收集反应产物。然后将氧化铝舟小心 线、纳米带、纳米笔等r7叫]，研究认为一维纳米材 推入管式炉的石英管中。实验装置如图1所示。 料具有小的尖端曲率半径，能够提高电子发射效 实验装置中以600 mL／min的气体流量通入氩气 率。目前已经有文献报道二氧化锡纳米棒、纳米 带的场发射特性[8 ，研究表明一维二氧化锡结 构有很好的场电子发射性能。但是这些形状的一 维二氧化锡纳米材料由于结构的限制，很难进一 流 量 步改进其场发射性能。 计 在本研究中，我们利用热蒸发的方法在具有 金催化剂的硅衬底上合成出了密度可控的二氧化