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5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 少数载流子密度与结电压的关系 由于 偏置情形,过剩少子与平衡少子的关系 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 在正向偏压下，将出现电子从N向P、空穴由P向N的注入；由于在空间电荷区存在载流子浓度梯度和电场，因此，载流子的运动是扩散和漂移运动的综合表现；载流子如电子通过空间电荷区进入到另一区域如P区的中性区后，由于没有电场存在，载流子将发生扩散复合，形成扩散复合电流。因此，需要求解电流连续方程： § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 I-V特征的求解是基于电流连续方程（Continuity Equations）可重写为： 将电流表达式带入 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 考虑P区电子满足的电流连续方程。在小注入条件下，均匀掺杂P区，电场为0，即： 在稳态（Steady state），重写为： 其中 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 x=0 x=W 假定P区耗尽层与准中性区边界坐标为0，P区厚度为W根据载流子浓度与电势的关系式，在x＝0和x＝W 满足： 在以上边条件下，求解连续方程得： § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 在p-区有： 其中，np0pp0=ni2 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 Forward biased Forward biased 正偏n+-p二极管： 反偏n+-p二极管： Reverse biased Reverse biased § 5.2 偏置PN结及其IV特性 5.2.3 载流子在偏置PN结中的输运 长基区极限 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 第五节 半导体PN结 上几节我们了解掌握了半导体的基本物理规律，如载流子及其分布规律、载流子的输运或运动规律。后面将讨论在半导体基本器件结构中，载流子的输运和运动规律。 MOS 晶体管结构 (a) 原始的， （b) 现代的 N+（P+） N+（P+） P-（N-） Source Gate Drain N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source Gate Drain N+(P+) a b 其中包括了：MOS、PN结、S/M接触等基本结构 本节将研究PN结中的基本物理规律 5.1.1 PN结的形成 § 5.1 平衡PN结的特征 扩散 注入 形成补偿(Compensated) 半导体区 所谓PN结是P和N型半导体接触形成的基本结构 5.1.1 PN结的形成 § 5.1 平衡PN结的特征 突变结 线性缓变结 两种理想的极限结构 注意：1 不变量；2 变化量；3 真空能级和导带连续； 4 费米能级与导带及载流子浓度的关系 Eg 5.1.2 平衡PN结的能带图 ?: 电子亲和势(electron affinity) ?s: 半导体功函数(workfunction) ?sn、?sp 亲和势只是材料的函数，但功函数与掺杂有关 5.1.2 平衡PN结的能带图 (特别注意平衡能带图的形成) § 5.1 平衡PN结的特征 接触形成PN结时 发生载流子的流动 载流子的流动导致空间电荷区形成 空间电荷区引起电场和电势变化 平衡时 费米能级为常数 漂移电流+扩散电流=0 5.1.2 平衡PN结的能带图 § 5.1 平衡PN结的特征 电子电流和空穴电流方程可变化为： 定义准费米势： 5.1.2 平衡PN结的能带图 § 5.1 平衡PN结的特征 自建势（Built-in Potential)：等于N和P型半导体未接触时各自的费米能级差. 在p和n中性区，电势为常数，因此，自建势发生在空间电荷区部分，为p和n区电势差 5.1.3 平衡PN结Poisson方程和电势分布特征 § 5.1 平衡PN结的特征 ?i=-Ei/q Poisson方程 半导体中Poisson方程可一般写为： 半导体中的电场可表示为: 5.1.3 平衡PN结Poisson方程和电势分布特征 知道平衡PN结的电荷分布，即可求解Poisson方程，获得电势分布特征。Poisson方程通常需要与电流连续方程自洽求解 电荷分布分为三个区