03章--硅锗晶体生长.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 以上四种方法的优点： 晶体生长速度快 由于快速生长而无分凝效应，杂质分布均匀 利用相应的模具与籽晶，可生长形状较复杂的管状，棒状晶体。 本章小结 晶体生长的条件 经典成核理论 晶体生长理论（层：三角凹，螺旋，位错凸） 制备单晶的方法：直拉法，区熔法（水平、悬浮） 片状单晶的制备方法 作业 试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、能量及结构条件。 什么叫临界晶核？它的物理意义及与过冷度的定量关系如何？ 形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀形核形核功有何差别？ 分析结晶相变时系统自由能的变化可知， 结晶的热力学条件为?G0； 动力学条件为液—固界面前沿液体的温度TTm(熔点)，即存在动态过冷。 由临界晶核形成功A＝1/3σS可知，当形成一个临界晶核时，还有1／3的表面能必须由液体中的能量起伏来提供。 液体中存在的结构起伏，是结晶时产生晶核的基础。因此，结构起伏是结晶过程必须具备的结构条件。 半径等于临界半径的晶胚叫做临界晶胚 临界晶核的长大几率和消失几率刚好相等,体系自由能为最大值. 过冷度越大,临界晶核半径越小. 在临界状态下,成核必须提供1/3的表面能,这部分能量必须由外界提供,称这部分能量为形核功. 均匀成核的形核功大于非均匀成核,非均匀成核所需要的过冷度比较低,因此成核容易. * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 居里－吴里弗原理：对于平衡形态而言，晶面的生长速度与晶面的表面能成正比 1901年吴里弗进一步扩展了居里原理。 优点：从表面能出发，考虑了晶体和介质两个方面。但是由于实际晶体常都未能达到平衡形态，从而影响了这一原理实际应用。 3．周期键链(PBC)理论 从晶体结构的几何特点和质点能量两方面来探讨晶面的生长发育。 此理论认为在晶体结构中存在一系列周期性重复的强键链，其重复特征与晶体中质点的周期性重复相一致，这样的强键链称为周期键链。 F F F S S S K F面：形成一个强键，放出较少键能，生长速度慢 S面：形成两个强键，放出键能高于F面，生长速度比F面快 K面：形成三个强键，放出键能最多，生长速度最快 结论：强键越少，晶面生长速度慢，越容易成为主要晶面 影响晶体生长的外部因素 1.涡流 由于溶质的析出和结晶潜热的释放，在生长 晶体周围，溶液的密度相对下降，导致溶液上向 移动，稍远处的溶液补充进来由此形成涡流。 涡流使生长晶体的物质供应不均匀。 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化，相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度，影响晶体形态。 (2)温度 例如，方解石（CaCO3）晶体在温度较高时，呈扁平形态； 地表常温下则长成细长晶体。 （3）杂质 溶液中杂质常选择性的吸附在某种晶面上。杂质的存在可以改变晶体上不同晶面的相对生长速度,从而影响晶体形态。 （4）介质粘度 粘度的加大，影响物质的运移和供给。由于晶体的棱和角部分比较容易接受溶质，生长得较快，晶面的中心生长得慢，甚至完全不长，从而形成骸晶。 石盐的骸晶 ５.各组分的相对浓度 对于化合物晶体，当介质中各组分的相对浓度发 生变化时，会导致晶面生长速度的相对变化，从而 影响晶形。 介质富Al2O3 介质富Y2O3 钇铝榴石（Y3Al5O12）的晶形 提拉法：在一定的温度场、提拉速度和旋转速度下，熔体通过籽晶生长，形成一定尺寸的单晶。 制取许多单晶材料，例如半导体材料单晶硅(Si)、锗(Ge)以及人造的蓝宝石和红宝石等。 人工合成晶体 晶体生长过程实例 大致过程： 多晶料的合成， 晶体生长, 晶体出炉。 提拉法生产晶体设备 1、多晶料的合成 化学原料除潮（保证配料准确，去除所吸水分） 原料称量（按化学反应比） 混料（为使各成分间反应完全，需长时间搅拌） 烧料（混料在一定温度烧结，反应形成多晶料） 压料（油压机压制成紧密块体） 二次烧结（形成较纯的多晶料） 物相判定（判定成分，特别是新晶体） 干燥 称量 混料 烧结 压料 物相分析 2、籽晶准备 一般来说，结构和成分与结晶物质相同或相似的晶体中取其中任意部分都可作为籽晶。 制作好的籽晶大多安放在白金丝或白金棒上。 3、晶体生长 装炉（多晶料装填在坩锅内，放入提拉炉，用保温材料密封） 上籽晶（籽晶装在籽晶杆上，并固定在提拉杆上）