自旋轨道耦合与磁场对电子透射率的影响 - 河北师范大学学报.PDF

第 3 1 卷/ 第 4 期/ 河北师范大学学报/ 自然科学版/ Vol . 3 1 No . 4 2007 年 7 月 J OURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY/ Natural Science Edition/ J ul . 2007 自旋轨道耦合与磁场对电子透射率的影响 杨玉峰 , 　羊红光 , 　白志明 (河北科技大学 理学院 ,河北 石家庄 　0500 18) ( ) ) 摘 要 :研究了铁磁体半导体铁磁体 F/ S/ F 准一维系统中电子的透射率. 得到如下结论 : 1 改变作用在 2 ρ θ ρ θ ( ) π ρ θ π ( 铁磁体上磁场方向角 和 , 电子透射率在满足 + = 2 n + 1 时最小 , + = 2 n 时最大 其中 n = 1 , 2 , 3 , ) ) δ ) α … 2 势垒起到了延迟电子共振隧穿峰到来的作用. 3 改变半导体中电子的 Rashba 自旋轨道耦合常数 会使 . 电子透射产生非周期性共振隧穿现象 ,并且随着 a 值的增大相邻共振隧穿峰的间距有增大的趋势. 4) 半导体长度 的改变虽然不会使相邻共振隧穿峰的间距改变 ,但会使共振隧穿峰值发生变化. δ 关键词 : 自旋轨道耦合 ; 透射率 ; 势 ; 共振隧穿 中图分类号 :O 488 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 (2007) 自从 20 世纪 20 年代电子的自旋特性被发现以来 ,人们一直未能找到电子 自旋在实践中的应用. 1988 [ 1 ] ( ) 年 ,Baibich 等 在 Fe/ Cr 多周期薄膜组成的超晶格结构中观察到了巨磁阻 ,分析了 Cr 原子对 Fe 层膜中导 电电子散射的电子自旋取向依赖性 ,使人们认识到了电子自旋的应用价值. 目前文献已报道了一些基于电子 或原子核的自旋态作为量子位的量子计算和信息处理方案[2～3 ] . [4 ] 由于半导体中电子的自旋与轨道耦合引起旋进 ,此旋进使电子的自旋方向发生改变 ,Datt a 等 研究了 当含有 Rashba 型自旋轨道耦合的半导体连接到 2 个铁磁体接触层上出现的一种“自旋晶体管”效应. 通过改 变磁场的方向 ,改变自旋透射系数 ,进而阻止电子的流动. 本文中 ,笔者研究了 F/ S/ F 准一维异质结电子系统. 此系统中第 1 段和第 3 段为铁磁体 ,其中铁磁体上 方加磁场 ,通过改变磁场方向改变铁磁体的磁化方向;第 2 段为半导体 ,半导体中存在电子自旋轨道耦合. 交 界面对电子的散射等效为 δ势. 通过改变入射电子能量 、半导体中自旋轨道耦合常数 、半导体长度以及磁场