硅太阳能电池工艺流程.pptVIP

硅太阳电池制备工艺 制备工艺流程 硅片清洗与去损 去除表面损失和沾污 硅片制绒 形成表面陷光结构 碱制绒与酸制绒 硅片清洗与制绒 绒面减少反射的机理 碱制绒 各向异性腐蚀 高质量的碱制绒 均匀的金字塔 高覆盖率 - 100%最佳 金字塔(111)晶面间形成尖锐交角 平均反射率在9%左右 酸制绒是各向同性腐蚀 使用HNO3和HF的混合液 单晶和多晶硅都适用 需要表面有缺陷和损伤 可以与H2O, H3PO4, H2SO4等混合使用 As-cut Alkali Acidic 酸制绒 一般使用CF4等离子体轰击表面 优点 低温，环境影响小 易单面制绒 硅片应力小 缺点 成本 当 λ 500 nm时，QE降低 RIE(反应离子刻蚀)制绒 扩散方法 沉积磷源在硅片表面 高温加热 磷扩散到硅基体中 扩散过程需要折衷考虑的因素 蓝光响应（死层） 串联电阻 金属接触电阻 温度——杂质和应力等 吸杂 磷扩散 边缘刻蚀 去除边缘PN结，防止上下短路 磷硅玻璃 磷硅玻璃 P型硅 N型硅 N型硅 边缘刻蚀 P型硅 N型硅 N型硅 去磷硅玻璃 去磷硅玻璃 用HF酸把上下表面的磷硅玻璃去除串联电阻 有时与刻蚀边结同时进行 减反射膜 减反射 SiNx SiNx/SiOx Al2O3 表面等离子体 沉积深蓝色减反膜SiNx:H膜。 折射率 玻璃~1.5 硅~3.4 介质~2.2 钝化作用 最常用 少子寿命较低的情况下， 寿命提高对电池效率的影响比较明显 少子寿命较高时，表面复合对效率影响更加重要 为什么要钝化 随着电池片的减薄，绝大多数硅片体寿命已经大于硅片厚度，提高少子寿命对电池性能的提高已经比较有限； 同时，随着硅片厚度减薄，表面复合所占比重越来越大，表面钝化显得更加重要。 低温快速热处理后， Si-SiNx界面态密度减少 热处理前后Si-SiNx界面态密度随表面势的变化 减反射膜的钝化作用 PPECVD生长SiNx可钝化表面， 低温快速热处理可进一步提高钝化效果 350-500℃，Si-H和N-H峰强均有下降 600-800℃， 峰强进一步降低 H释放，钝化Si-SiNx界面的悬挂键 H从界面处逸出 快速热处理提高SiNx薄膜钝化的机理 热处理前后SiNx的傅里叶红外谱 背电极 背电极的印刷 在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极 浆料：银浆或银铝浆 在太阳电池背面丝网印刷铝浆 通过烧结 和p型硅形成良好的接触 形成铝背场 高低结电场 吸杂 背电场 背电场的印刷 在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极 正面电极有主栅线和副栅线组成 主栅线 副栅线 前电极的印刷 The End