09-10(上)物电083(专)086(本)模拟电路(康华光)复习题(给学生).docVIP

电子技术基础-模拟电路-康华光复习题（07.4班08.12.18） 第1章 绪论 1、由若干相互联结，相互作用的基本电路组成的，具有特定功能的电路整体，称为电子系统。 2、信号：信息的载体。 3频谱：将一个信号分解为正弦信号的集合，得到其正弦信号幅值随角频率变化的分布，称为该信号的频谱 4、模拟信号：在时间和幅值上都是连续的信号。 5、数字信号：在时间和幅值上都是离散的信号。 6、处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。 7、处理数字信号的电子电路称为数字电路。 8、放大电路模型。 电压放大模型、电流放大模型、互阻放大模型、互导放大模型、隔离放大电路模型。 9、放大电路的主要性能指标。 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真。 第2章、半导体二极管及其基本电路--康华光 0、利用二极管反向击穿特性可实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 1、本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态 2、电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对 3、N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 4、P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 5、PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 6、当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿 7、二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类 8、利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 1.2.2-P24 设负载开路时的电压为，接上负载时的电压为。 1.2.3-P24 设负载开路时的电压为，接上负载时的电压为。 1.2.6P24 第3章、半导体三极管及其放大电路--康华光 1、半导体三极管的结构特点： 发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低 2、三极管的三种组态： 共发射极接法；共基极接法；共集电极接法。 3极间反向电流 (1) 集电极-基极间反向饱和电流ICBO ----发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (2) 集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO-------ICEO=（1+β）ICBO 。 4、反向击穿电压 · V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。 · V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。 · V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的反向击穿电压。 5、静态：输入信号为零（vi= 0 或 ii= 0）时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。 动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。 6、晶体三极管截止区条件：发射结零偏或反偏，集电结反偏；饱和区条件：发射结正偏，集电结正偏；放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。 、晶体管和场效应管放大电路的分析方法有静态分析法：即估算法和图解法；动态分析法：即微变等效电路法。 BJT的三个工作区；放大区、饱和区、截止区。 9、波形的失真：饱和失真、截止失真 10、放大电路动态分析的目的：确定放大电路的性能指标11、某放大器的电压放大倍数为1000倍，若用分贝表示，则应为 A、40dB； B、60dB C、80dB D、20 dBBJT的 ， ， ， ，求：放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？。 图7 13、放大电路如下图所示。试求：（1）Q点；（2） ，。 14、图所示电路，设电路的偏置状态正常，若断开RL后，放大器的电压放大倍数将（）。 、 题图中，设电路的偏置状态正常，适当减小VCC时，放大器的电压放大倍数将（）。 试电路对输入正弦交流电压信号是否有放大作用。 图（b）：将D断开，以O为电位参考点。原D阳极连接处电位为-15V，原D阴极连接处电位为-12V，若恢复D后，D处于反向偏置而截止。D可视为开路，回路中就无电流，电阻上没有压降，所以 图（C）：将均断开，以O为电位参考点。原阳极连接处电位为0V，原阴极连接处电位为-12V；原阳极连接处电位为-15V，原阴极连接处电位为-12V，若恢复后来看， 处于正向偏置而导通，处于反向偏置而截止。视为短路；视为开路，所以 图（D）：将均断开，以O为电位参考点。原阳极连接处电位为12V，原阴极连接处电位为0V；原阳极连接处电位为12V，原阴极连接处电位为-6V，若恢复后来看，均处于正向偏置理应都导通，但是的正向偏置电压大于正向偏置电压而抢先导通，理想二极管视为短路，这时A点电位变为了-6V，使阳极电位也为-6V，（如前所述，阴极电位为0V，）此时，变为反向偏置而截止，视为开路，所以 2.4.4 P60 解