关于推荐申报2016年度滨州市自然科学奖的公示 根据滨州市科学技术 .doc

关于推荐2016年度公示 关于201年度滨州市科学技术奖申报和推荐工作的通知滨州市 公示期为201年7月日至201年月日。在公示期内，：3190133人工作单位和联系电话。过期或不按要求提出的异议，不予受理。 科研处 201.7.29 附：8项推荐成果基本情况 推荐成果(一) 1、项目名称 负电子亲和势GaN基紫外光电探测机理研究 2、推荐奖种 滨州市自然科学奖 项目简介 NEA GaN光电阴极由于具有宽直接带隙、高量子效率、暗发射小、发射电子能量分布集中、“日盲”特性等优点，在紫外像增强器、真空电子源、自旋电子学、平版印刷中有着广泛应用，是继NEA GaAs光电阴极之后又一重要光电阴极，近年来成为光电阴极研究的热点。经过几年的探索与研究，NEA GaN光电阴极净化工艺、激活工艺、表面机理等方面已经开展了相关研究工作，并取得了大量研究成果，但受研究手段的限制，难以真正从原子尺度分析GaN光电阴激活机理和负电子亲和势形成原因，影响了NEA GaN光电阴极的进一步发展和提高。 本项目是国家自然科学基金“NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究”、山东省自然科学基金“负电子亲和势GaN基紫外光电探测机理研究”（ZR2010FL018）和山东省高校科研发展计划项目“高性能NEA?GaN光电阴极光电发射机理研究”（J10LG74）的研究成果。本项目采用基于密度泛函理论(DFT) 的第一性原理平面波超软赝势方法，针对NEA GaN光电阴极研究中涉及到的GaN材料特性、p型掺杂特性、缓冲层Al组份、GaN表面特性、Cs/O激活机理等问题开展了较为系统的研究工作。主要研究内容： （1）研究了GaN体材料的电子结构和光学性质及空位缺陷对其影响 为了了解GaN体材料的光学性质，构建了GaN体材料模型和GaN空位缺陷模型，计算了GaN的介电函数、折射率、吸收谱、反射谱、光电导率和能量损失函数等光学性质，进一步研究了空位缺陷对GaN光学性质的影响，为GaN光电阴极材料设计提供依据和参考。 （2）研究了Mg掺杂、Al组份对GaN电子结构和光学性质的影响 针对GaN光电阴极材料p型掺杂问题和透射式GaN阴极缓冲层Al组份问题，构建了Ga0.9375Mg0.0625N 模型和Ga1-xAlxN模型，研究了Mg掺杂对GaN能带结构、态密度和光学性质的影响，分析了GaN材料p型转变的形成及Mg掺杂对周围成键的影响。研究了Al组份对GaN光学性质的影响，分析了吸收边、谱峰随Al组份的变化趋势，给出了满足日盲区紫外探测要求的Al组份比例。 （3）研究了GaN本征表面、p型表面和空位缺陷表面特性 为了弄清GaN光电阴极激活表面的特性，构建了GaN(0001)表面模型、GaN(000)表面模型和GaN(0001) 表面空位缺陷模型，比较研究了GaN(0001)和GaN(000)表面的能带结构、态密度、表面能、功函数、表面形貌、稳定性和光学性质，表明了GaN(0001)表面是优于GaN(000)表面的阴极激活表面，进一步研究空位缺陷对GaN(0001)表面电子结构、功函数和光学性质的影响。通过Ga0.9375Mg0.0625N (0001)表面模型模拟了p型GaN(0001)表面，研究了p型GaN(0001)表面特性，分析了Mg掺杂对GaN(0001)表面光学性质的影响。 （4）模拟了Cs/O激活过程，结合激活实验现象，分析了GaN光电阴极激活机理和负电子亲和势形成原因。 为了研究NEA GaN光电阴极激活机理，通过 Cs/GaN(0001)吸附模型、Cs/GaN(000)吸附模型，分析了1/4ML Cs原子在GaN(0001)和GaN(000)表面的稳定吸附位、功函数变化及其原因，研究了Cs原子覆盖度对吸附能和功函数的影响，分析了Cs原子吸附对GaN表面光学性质的影响，进一步分析了空位缺陷对Cs在GaN(0001)表面吸附的影响。利用Cs/Ga0.9375Mg0.0625N (0001)吸附模型模拟了Cs在p型GaN表面的激活过程，研究了Mg掺杂对Cs在GaN(0001)表面吸附能、功函数、光学性质的影响。用（1×1）GaN(0001)表面模拟了Cs 、O激活“yo-yo”过程，结合GaN光电阴极Cs/O激活实验，解释了GaN光电阴极激活机理及负电子亲和势形成原因。 4、全部完成人排序及对项目的贡献 （1）杜玉杰，教授，滨州学院，对本项目技术创造性贡