金属离子对dna记忆特性影响的研究 学位论文.docVIP

本科毕业论文 题 目 金属离子对DNA薄膜器件记 忆特性的影响 专 业 物理学 作者姓名 学 号 2012201493 单 位 物理科学与信息工程学院 指导教师 教授 2016 年 5 月 教务处编 原创性声明 本人郑重声明：所提交的学位论文是本人在导师指导下，独立进行研究取得的成果。除文中已经引用的内容外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得聊城大学或其他教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均在文中以明确的方式表明。本人承担本声明的相应责任。 学位论文作者签名： 日期： 指 导 教 师 签 名: 日期： 目 录 1. 引言 1 1.1 记忆电阻的提出与发现 1 1.2 国内外研究进展与现状 2 1.3 记忆电阻的应用前景 3 1.4 有机材料的优势 3 1.5 本文主要研究内容 2. 本文所用实验仪器介绍 5 2.1 旋涂技术 5 2.2 Keithley 2400 测量系统 5 2.3 原子力显微镜测量系统 6 3. DNA分子薄膜记忆特性的研究 8 3.1 材料的处理和器件的制备..............................................................................8 3.1.1 实验试剂 8 3.1.2 制备仪器 8 3.1.3 实验过程 8 3.2 记忆特性机理的分析 10 4. 金属离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 13 4.1 镍属离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 13 4.1.1 加入镍离子后器件的忆阻特性分析 13 4.1.2 镍离子对DNA记忆特性影响的机理分析 14 4.2 镁离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 14 5. 总 结 16 参考文献 17 致 谢 18 摘 要 众所周知，以硅材料为基础的集成电路元件的尺寸降低到一定程度时，量子效应变得明显，从而影响了电路的稳定性。因此需要寻找一种新型存储技术突破此技术瓶颈。忆阻器以其独特的非线性电学性质在基础电路扩展、逻辑电路设计以及生物仿真等领域具有广泛的应用，尤其是在存储器的研究领域具有巨大的潜在价值。而有机忆阻器件因制备工艺简单、制作成本低、存储密度高等优点受到了广大科研人员的关注。DNA 具有独特的双螺旋结构、自组装等优势，有望制备成为新型的有机忆阻器件。本文主要采用旋涂技术进行 DNA 分子薄膜器件的制备，测量了其I-V特性曲线，观测出DNA分子薄膜具有良好的记忆特性并对其机理进行解释。此外还对DNA分子薄膜器件分别掺杂了镍离子和镁离子，并且测量出0.02Mol／L的镍离子浓度能够改善DNA分子器件的记忆而镁离子对其记忆特性积极作用 关键词：记忆电阻；DNA；金属离子 Abstract As everyone knows, the integrated circuit element to reduce the size of the silicon material as the foundation to a certain extent, quantum effects will become obvious, thus affecting the stability of the circuit. To overcome the limitations of conventional semiconductor device, it is extremely urgent to find a novel nonvolatile memory instead of current memory technology. Recently, the memristor has been widely investigated for the basic circuit extensions, the logic circuit design and the