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退火溫度對氧化鋅薄膜-UV光感測元件性能之影響 Effect of different annealing temperature for the ZnO film-UV Photodetector 研究生：鄧光富 Guang-Fu Deng 指導教授：熊京民 Dr. Chin-Min Hsiung、楊茹媛 Dr. Ru-Yuan Yang 【摘要】 本論文為研究應用於紫外光之金屬-半導體-金屬結構之光檢測器，以氧化鋅薄膜作為主動層，由於氧化鋅是一種寬能隙(3.4eV)半導體，且其常溫下具有較大的激子束縛能(60meV)，因此成為紫外光光感測器的另一項選擇材料。本論文主要分二部份：（a）氧化鋅薄膜製備與高溫爐退火處理，並分析薄膜材料之特性；（b）製作紫外光光感測器與量測。 （a）氧化鋅薄膜製備與高溫爐退火處理，並分析薄膜材料之特性 本實驗使用高純度的氧化鋅靶材在室溫下利用射頻濺鍍系統沈積氧化鋅薄膜於P型矽晶圓及石英玻璃上，針對靶材功率作為製程變數，並對所製備的氧化鋅薄膜在氮氣中進行不同溫度（300~700℃）的退火處理，以改善其電性及光學上特性的影響。在薄膜的物性研究方面，藉由XRD分析，探討氧化鋅薄膜於不同溫度退火處理後之結晶狀態與晶粒尺寸，並利用SEM和AFM觀察薄膜之微結構變化與表面粗糙度；在光學性質方面，藉由紫外線可見光光譜儀，分析在不同退火條件處理所後薄膜之光學穿透率及能隙值；在電學性質方面，使用霍爾量測其載子濃度與電子遷移率。 由實驗結果得知，不同的退火溫度可使薄膜沿c軸成為主要長方向，且薄膜晶粒尺寸隨著退火溫度增加而變大；SEM與AFM分析顯示不同溫度退火處理後薄膜表面微結構有不同的變化；不同溫度退火處理之薄膜於可見光區皆可逹到90%以上之光穿透度；載子濃度也隨退火溫度有所改變。綜合以上實驗結果得知，退火處理溫度對氧化鋅薄膜晶體結構與光電特性有很大的影響，適當的製程溫度會提升其特性。 （b）製作紫外光光感測器與量測。 將退火處理完成的薄膜，接著遵循標準的曝光、顯影及濺鍍等步驟，將鋁金屬濺鍍在氧化鋅薄膜上來作為接觸電極，完成氧化鋅金半金光感測器(metal-semiconductor-metal photodetectors, MSM PDs)的元件製作。接著利用I-V量測儀量測其光、暗電流特性。在150W下製備的氧化鋅薄膜經過300度退火所做之光感測器，在10伏特電壓下以可以得到最佳的光暗電流比，逹到4.2個數量級。 關鍵字：氧化鋅、金屬-半導體-金屬、光感測器、濺鍍機、退火處理 【Abstract】 In this thesis, we have researched into the Zinc oxide (ZnO) thin films act as the active layer of metal-semiconductor-metal (MSM) structure for the deep UV photodetector. ZnO is a semiconductor with a the wide energy band gap, which has a high exciton binding energy(60 meV) at room temperature. Therefore, ZnO is a superior choice to be applied to the ultraviolet photodetector device. The thesis is divided into two parts: (a) Fabrication, annealing treatment by high temperature furnace, and analysis of ZnO thin films; (b) preparation and analysis of ultraviolet photodetector device. Part I : (a) Fabrication, annealing treatment, and analysis of ZnO thin films. In this experiment, the ZnO thin films were either deposited on p-type silicon wafer or quartz glass by RF sputtering system at room temperature. The target was a pure zinc material and the power was a variable parameter. Then, in order to discuss the