电路中GND和GROUND区别.docxVIP

*电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别 一、解释 DCpower一般是指带实际电压的源，其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC：电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE：负电压供电;场效应管的源极(S)VPP：编程/擦除电压。 VCC：C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压; VDD：D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压; VSS：S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 二、另外一种解释： Vcc和Vdd是器件的电源端。 Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。 Vcc来源于集电极电源电压,CollectorVoltage,一般用于双极型晶体管,PNP管时为负电源电压,有时也标成-Vcc,NPN管时为正电压. Vdd来源于漏极电源电压,DrainVoltage,用于MOS晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用PMOS晶体管,所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上. Vss源极电源电压,在CMOS电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地. Vee发射极电源电压,EmitterVoltage,一般用于ECL电路的负电源电压. Vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路. 三、说明 一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字接地,VEE=负电源 有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。 对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常VccVdd)，VSS是接地点。 在场效应管(或COMS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。 详解： 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS， 这显然是电路符号 除了正确进行接地设计、安装,还要正确进行各种不同信号的接地处理。控制???统中，大致有以下几种地线： 数字地：也叫逻辑地，是各种开关量(数字量)信号的零电位。 (2)模拟地：是各种模拟量信号的零电位。 (3)信号地：通常为传感器的地。 (4)交流地：交流供电电源的地线，这种地通常是产生噪声的地。 (5)直流地：直流供电电源的地。 (6)屏蔽地：也叫机壳地，为防止静电感应和磁场感应而设。 以上这些地线处理是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。 下面就接地问题提出一些看法： //接地方式： 高频电路多点接地 低频电路一点接地 控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。一般来说，频率在1MHz以下,可用一点接地;高于10MHz时，采用多点接地;在1～10MHz之间可用一点接地，也可用多点接地。 不可将交流地与信号地共用 (2)交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数mV甚至几V电压，对低电平信号电路来说，这是一个非常重要的干扰，因此必须加以隔离和防止。 (3)浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来，这种方法简单，但整个系统与大地绝缘电阻不能小于50MΩ。这种方法具有一定的抗干扰能力，但一旦绝缘下降就会带来干扰。还有一种方法，就是将机壳接地，其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强，安全可靠，但实现起来比较复杂。 (4)模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能力，对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。 (5)屏蔽地。在控制系统中为了减少信号中电容耦合噪声、准确检测和控制，对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同，屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题，一般接大地;电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成，可