RF sputter真空原理 - 奈材中心 - 国立清华大学.DOC

RF Sputter SOP - PAGE 10- 國立清華大學 奈微與材料科技中心 射頻濺鍍系統(RF Sputter) 操作手冊 Update:2010/11/12 RF Sputter操作步驟 簡介 用途： 使用射頻功率與氬氣產生電漿轟擊鋁靶，使鋁與氮氣結合產生氮化鋁。 適用範圍： （1）6 吋以下晶圓含1cm2以上之破片。 （2）每次製程限用一片晶圓。 （3）本機台限鍍氮化鋁化合物。 （4）本機台目前接受底材為 Pt、Al、Mo、Si、Oxide、Nitride之晶片，含有光阻、Au、Cu等鐵電材料之底材不可進入以避免污染。 使用設備：ULVAC 製程使用材料、氣體： 靶材：6吋鋁靶 氣體：氬氣(Ar)、氮氣(N2) 使用限制： 機台參數壓力、溫度、流量及功率不可任意調整，違者取消使用資格(如需調整，請向奈材中心提出書面申請)。 含有光阻、Au、Cu等鐵電材料之底材不可進入以避免污染。 機台操作時禁止離開（不包含降溫）。 操作前檢查 查無塵室溼度與溫度是否正常。 查機台有無發生異常警示。 查CDA 0.4 kg/cm2，N2 1 kg/cm2 (圖1)。 查冰水機外，循環入水與出水是否正常 (圖2) 。 查冰水機內，循環水高度是否高於Low白線 (圖2)。 查廠務冰水是否啟動。(圖3)。 查N2 1 kg，Ar 1 kg (圖4)。 cryo pump溫度低於18 K，cryo temp值小於-6.7 (圖5) 確認機台於pump down高真空狀態。(圖6) 1 2 3 4 N2 Ar 5 6 Cryu temp 溫度 Low 片 確認機台在Pump down start高真空狀態。 執行Pump down?stop。此動作為關閉MV 執行Vent?start。此動作為開VV，讓N2破chamber真空。。 執行Vent?stop，停吹氮氣。將腔門開啟，以重物擋住腔門。 執行螢幕shutter(檔片)?Open 7 若鍍破片，六吋wafer需放在試片座上作檔片，不用時，放在黃光室之烘箱去除水氣，烘箱溫度120 ℃即可。 切換JIG Rotation controler面板之 switch，由Auto切至Manual模式， 檢查試片旋轉是否正常。若可正常 旋轉，再切換至Auto模式。(圖7) 執行螢幕shutter(檔片)?Close 將重物移開，關閉腔門。 執行Semiauto(半自動模式)， Pump down?start抽chamber。開始建真空。 RF模式 製程步驟 RF Controller 電源開關 RF TUNE MATCH ON/OFF UP DOWN UP DOWN POWER 功率= 反射功率= T=% N=% 圖八所示為RF Controller面板，面板說明如下： 打開電源開關，即可開啟控制器電源，需抽達真空標準，面板才會開始運作。 從顯示器左邊依序為功率、反射功率之數值。 操作機台過程中，需注意反射功率不可超過5，盡量維持在0。 RF升溫製程（製程時不得離開） 確認機台狀態，壓力值達5.7x10-4Pa，會”嗶”一聲。 升溫需要氣體(Ar)，利用氣體分子達到chamber內熱平衡，抽氣效能須降低，以免氣體大量被抽走。 溫度設定： 加熱前需確認3個地方 (1) ion gauge切到Manual模式。 (2) HV?stop（將閥門關小）。 (3) 通Ar:Vb1?Vf3?Gas Enable。(Open) 按鍵A 9 如圖9 Substrate Heater Controller面板 (b) 加熱設定：不要按手。 循環鍵 ： SP模式，及▼▲(設定溫度)。 加熱按鍵按下(按鍵A)， 開始升溫。 升溫完成，執行 關閉Gas Enable?Vf 2?Vb1(close)。與開啟時為反順序 ion gauge切到Auto。 螢幕HV?start。 確認機台狀態，壓力值達5.7x10-4 Pa，會”嗶”一聲。 確認pre sputter、main sputter、N2歸零，Ar設定180 sccm。 Semiauto模式關閉，執行auto sputter模式。 設定製程選項： Heat(OFF)、Heat(Hold)、Gas(N2、Ar)、Power(RF)、Vent(Main)、 Per. Sputter：600 sec。Main Sputter：依製程而定。 設定完成，按Start開始鍍膜製程。 回到主畫面，觀察製程。 Per. Sputter:300 sec內：(chamber內壓力必需維持在8.0x10-1以下) 開啟RF controller開關。 依序執行下列動作：（隨時注意反射功率不要超過5，維持0） A. 前100 sec，轉動pre sputter，使功率由