无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源.pdfVIP

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2017-06-27 发布于天津
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无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源.pdf

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第18卷第3期电子设计工程 2010年3月 Electronic Mar．2010 V01．18 No．3 DesignEngineering 无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源管佳伟，吴虹，孙伟锋 (东南大学ASIC工程中心，江苏南京210096) 摘要：结合工作在亚阚值区、饱和区和线性区的MOS管。提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的裁流子迁移率和亚阚值斜率的温度系数。基于SMIC0．13 p．m的CMOS工艺的仿真结果表明，在温度为_55—90℃的范围内，输出电压的温度系数为5ppnCE。在室温时，整个电路能在低到o．9V的电源电压下工作并消耗0．68／zW的功耗。关键词：基准电压源；温度补偿；亚闪值区；载流子迁移率；亚阈值斜率中图分类号：TN加2 文献标识码：A 文章编号：1674—6236(2010)03—0084_03 Resistorlesslow driftCMOS reference voltage，lowtemperature voltage GUAN Jia—wei，WU Hong，SUNWei-feng SIC Research Center，Southeast 210096，China) (Nat／ona／ASystemEr画础er地g Univers妙，Nanjing describes referencethatcombinesdifferent of Abstract：This a linear, paper MOSFET-onlyvoltage operatingregions atttumtionandsubthresholdin circuit the ofcarrier MOSFETs．The effectivelycompensatestemperaturedependencemobility and of is basedonSMIC0．1 CMOS subthresholdMOSFET．Thereference slope voltage designed 31山m process．The is5 inthe from-55℃to90℃． simulationresultsshowthatthe coefficient(TC)of temperature outputvoltageppng。C range It a of at0．9V atloom dissipatespower0．681zW supplyvoltage temperature． Keywords：voltagereference；temperaturecompensation；subthresholdregion；