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CMOS影像感測元件技術 講師：莊 志 仁 日期：2003.03.03. 內　　容 : 一、影像元件之背景與應用概述 二、CMOS影像感測器技術原理 三、測試技術 四、 CMOS感測器現況簡介 五、CMOS Sensor之未來 一、影像元件之背景與應用概述 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor，補充性氧化金屬半導體)影像感測元件之發展歷程 1967 Fairchild Weckler發表光二極體於反向偏壓下，以積分模 式工作。 1968 Weckler發表100×100元件，並成立Reticon公司，英國 Plessey Noble發表利用MOS Source_follower電路作為像 素單元。 1970 Fixed Pattern Noise(FPN)之問題嚴重，CCD首度發表。 1970年代末至1980年代，僅少數廠商持續進行相關研究。 1980年代末，紅外線影像感測器採用CMOS影像信號讀出積 體電路。 1990 美JPL發表CMOS APS Image Sensor，並轉成立PhotoBit。 英VLSI VISION Ltd.發展CMOS Image Sensor。 2002 1.3M-2M CIS商品化，Camera on a chip技術已漸成熟。 各種影像感測器之比較 CMOS影像IC之優點 單電源 低電壓 低耗電 系統整合容易 價位低 速度快 產品自主、應用導向 CMOS與CCD市場佔有率分析 CIS之應用分析 市場趨勢分析 In 2005, over 60% of CIS will be SOC. In 2005, over 70% of CIS will be 0.25/0.18μm process. Unit shipment of CIS will surpass CCD in 2002. CIS will dominate Image sensor market on portable devices.4 CIS WW market is speedy growing up from 16Mpcs to over 237 Mpcs in 2005. Top 4 application of CIS share 78% of market by unit in 2005 - Mobile Phone - PC Camera - DSC - Surveillance 二、CMOS影像感測器技術原理 Image Process Follow CMOS感測器技術 信噪比： 影像感測器的信噪比（SNR）可以用分貝（dB)來表示，當 信號強度到達一定強度時，信噪比並不會同步增加。但是，如果讓低數值信號可以被檢測到，那麼信噪比就非常重要。 色彩敏感度失衡： 彩色畫素對不同頻率的入射光有不同的靈敏度，將造成攝取影像的色彩失衡。當然，色彩失衡可以用數位化處理得到補償，卻會放大類比/數位轉換器（ADC）的量化雜訊。現在的技術可以解決色彩敏感度失衡的問題，同時將訊號送到ADC進行數位量化，運用色別增益或放大技術進行處理。 CMOS感測器技術 暗電流(Dark Current)（Black level）暗電流是在沒有入射光時光電二極體所釋放的電流量，理想的影像感測器其暗電流應該是零，但是，實際狀況是畫素中的光電二極體是充當電容器，當電容器慢慢地釋放電荷時，就算沒有入射光，其電壓也會與低亮度入射光的電壓相當。因此，不能確定畫素是否真正「看到了」某些景物，或是因為從暗電流中所累積的電荷。所以，暗電流是畫素的雜訊之一，CCD與CMOS感測器的暗電流範圍為0.075nA/cm2～2.0 nA/cm2以上。 CMOS感測器技術 畫素大小和填充比感測器能否攝取低亮度影像將取決於每個畫素活動（採光）區的大小，較大的畫素使影像感測器攝取較多的光子，如此能提高畫素的動態範圍。但是，較大畫素需要較多的矽晶片 ，使得生產成本墊高，因此藉由設定活動區域大小、低亮度敏感性，以及整個畫素陣列投射期望的圖像，決定最佳化的影像感測器元件大小。 CMOS感測器種類 被動式畫素感測器CMOS被動式畫素感測器CMOS（Passive Pixel Sensor CMOS）是一種低成本、低耗電的感測器，但缺點是高雜訊、高抗阻、低動態範圍。被動式畫素感測器的光譜反應頻寬範圍除了可見光之外，也可以對紅外線反應，因此，可以被應用在安全監視器、汽車夜視裝置等產品上 。 CMOS感