半导体激光器的发展及其在激光光谱学中的应用.PDFVIP

维普资讯 第 2l卷 哈尔滨师范大学 自然科学学报 Vo1．21，No．12005 第 1期 NATURALSCIENCESJOURNALOFHARBIN NORMALUNIVERSITY 半导体激光器的发展及其在激光光谱学中的应用 陈 辉 高 红 张云刚 张治国 (哈尔滨师范大学) (哈尔滨工业大学) 【摘要】 半导体激光器的发展迅速，以其独特的性能及优点获得了广泛的应 用．本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的 主要应用．给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱． 关键词 ：半导体激光器；激光光谱学；可调谐波长；单纵模 能在液氮温度(77K)和脉冲状态下工作．1967年 0 引言 出现的单异质结半导体激光器由两种不同带隙的 自从 1962年世界上第一 台半导体激光器 半导体材料薄层所组成 ，利用高带隙势垒的阻挡 (DiodeLaser)发明问世以来…，由于其体积小、重 作用，使阈值电流密度降低了一个数量级，并实现 量轻、易于调制 、效率高以及价格低廉等优点，被 了在室温下脉冲工作，但不久便被 1970年出现的 认为是二十世纪人类最伟大的发明之 ．四十几 双异质结激光器所取代．双异质结激光器是将窄 年来半导体激光器逐步应用在激光唱机 、光存储 带隙并具有高折射率的半导体材料夹在两个宽带 器、激光打印机、条形码解读器 、光纤 电信 以及激 隙并具有低折射率的半导体材料之间，因而叮以 光光谱学中，不断扩大应用范围，进人 一些其它 利用带隙势垒和光波导将载流子和光子有效地限 类型激光器难以进人的新的应用领域． 制在有源区内．从而使阈值 电流密度又降低 了一 个数量级，并实现了室温下连续工作 ．1978年 1 半导体激光器的发展 出现的量子阱激光器是把窄带隙超薄层夹在两个 半导体激光器是以半导体材料(主要是化合 宽带隙势垒薄层之间，由于有源层 的厚度被减少 物半导体)作为工作物质，以电流注人作为激励 到同电子德布罗意波长(约为 10rim)差不多，即 方式的一种小型化激光器．它必须满足三个基本 量子化尺寸 ．所以量子阱只在平行于阱壁的平 要素：(1)p—n结区的电子一空穴复合，提供光增 面内有两个 自由电子气，提高了注人有源层 内载 益；(2)正向偏置p—n结提供载流子注入．(3)垂 流子的利用率，降低 了阈值 电流密度 (～5()A／ 直于结的两个解理端面形成 F—P谐振腔提供反 cm )． 馈． 普通结构的 F—P腔半导体激光器，虽然在 世界上 的第一 台半导体激光器是 同质结 直流状态下能实现单纵模工作，但在高速调制状 的 ，即和普通的p—n结极管一样．这种同质结 态下也就会发生光谱展宽。难 以获得单纵模激光 激光器有源区的厚度为电子扩散长度量级 (微米 振荡．1975年的分布反馈 (DFB)激光器是一种具 量级)，阈值电流密度需达到 10 A．Jem!． 此只 有引人光栅技术的平面结构谐振腔的半导体激光 收稿 日期 ：2004—11—05