TFT_LCD_简介完整版概要1.pptVIP

电容的主要特性是在充电后，能够存储电荷。 实际电容的模型是由电阻（ ESR） 、电容和电感(ESL)组成。由于交流电流流经电容，有功功率消耗在ESR上，从而引起电容温度升高。 有极性电容包含了一个寄生的实际存在的二极管，在电容极性接反时允许电流流过。 电容等效电路 问题：请计算t=0之后电路发生了什么？ 1.6 半导体工艺之光刻工艺 光刻：用光刻蚀。 光刻是一种图形转移工艺。 光刻步骤是半导体工艺不可或缺的一步。 平面加工工艺（光刻）的发明 Si(硅)衬底上真正的集成电路 1959年，Fairchild公司的Noyce将光刻技术和SiO2巧妙的结合起来，在Si衬底上制备真正的集成电路。 由此导致平面工艺的诞生。 1957年，美国DOF实验室首先将光刻技术引入到半导体技术中。 光刻流程示意 光刻胶(抗蚀剂，光阻) 正胶： 光刻胶在原始状态下不会被显影剂溶解，只有被曝光后才会被溶解。 负胶：被曝光的区域不溶解于显影剂中，而未 曝光的区域会被显影剂溶解。 光学图形曝光的图案转移步骤示意 涂胶 曝光 显影 刻蚀 去胶 涂胶 掩模板(Mask) 利用一块带有图形的玻璃板，透过这块玻璃板投射一束光到基板表面，就在基板的表面形成了图形的阴影，玻璃板上的这些图形对应了要在工艺加工中保护的区域。 上述的这块玻璃板就是掩模板(Mask)。 掩模板上的图形通常用铬制作，这些铬层将阻挡光线通过。 画版图时，画的每一层图形都对应了一块掩模板。 光刻机 图形的转移是利用图形曝光设备完成的，该图形曝光设备就是光刻机。 光刻机有三个参数： 分辨率：能精确转移到基板表面抗蚀剂膜上图 案的最小尺寸。 套准精度：后续掩模板与先前掩模板刻在基板上的图形相互对准程度。 产率：对一给定的掩模板，每小时能曝光完成的数量。 光刻机大部分属于遮蔽式曝光，又可分为： 接触式曝光：掩模板与基板直接接触 接近式曝光：掩模板与基板紧密相邻 遮蔽式曝光技术示意 1.7 TFT LCD 制程 TFT Array 制程 CF 基板制程 LCD制程 LCM制程 TFT Array 制程 CF BM 制造流程 CF-RGB 制造流程 CF-ITO 制造流程 TFT LCD 结构图 LCD 段制造流程 LCM 制造流程 The End * * 1.2.2 如何利用LCD制成光阀 液晶光阀的例子 其中 A 为电场振幅。 分析 1.2.3 如何控制液晶光阀 电场控制液晶分子的排列 电场控制液晶分子的排列 当力矩不平衡时，若其净力矩可以克服液晶本身的弹性，则可使液晶分子朝力矩大的方向转动。 对于一般的液晶材料，液晶分子长轴的介电系数ε//比短轴的介电系数大(称为正型液晶)，使得液晶分子的长轴向电场方向扭转。 电压－透射率曲线 1.2.4 液晶电容 等效介电常数 等效介电系数与液晶分子长轴与平行电极的夹角的关系 等效介电系数与液晶分子长轴与平行电极的夹角的关系 液晶电容的计算 TN 型液晶的典型电容/透射率-电压关系 1.3 了解薄膜晶体管(TFT) 1.3.1 TFT 结构及原理 1.3.2 TFT 电流电压特性 1.3.1 TFT 结构及原理 Inverted Staggered Structure of a-Si TFT 1.3.2 TFT 电流电压特性 1.4 了解TFT LCD 1.4.1 TFT LCD 架构 1.4.2 彩色 TFT LCD的亚像素 1.4.3 TFT LCD 的比喻 1.4.1 TFT LCD 架构 TFT LCD 驱动系统概述 概述 时序控制电路(Timing Controller) 控制整个显示器动作的时序的中心，配合每个帧显示的时机，设定水平扫描启动，并将由界面输入的视频信号转换成数据驱动电路所用的数据信号形式传送到数据驱动器的寄存器中，并配合水平扫描，控制数据线驱动的适当时间。 扫描驱动电路(Scan Driver) 接受时序控制电路的控制，循序地对特定的扫描线输出适当的开电压或关电压以驱动TFT LCD的扫描线。 数据驱动电路(Data Driver) 接受时序控制电路的控制，将高频输入的数字视频信号储存在寄存器中，配合特定的扫描线开启，将数字视频信号转换成要输出至像素电极的电压，以驱动TFT LCD的数据线。 共电极参考电压源 共电极电压一般而言是直流电压，有时也可能作电压调变。由于电压值的设定会与面板特性有关，因此，在系统中独立设计成一个可调整参考电压的电压源。 电压源转换电路 TFT LCD各功能区块电压范围不同，需要提供不同电压值的电压源，因此，要将系统上供给单一电