热烈欢迎各位专家和领导位临指导！-东南大学物理系.PDFVIP

自旋电子学系列讲座 （第2讲） 东南大学物理系 翟亚 1-2 自旋电子学的材料工程 Co/Cu 多层膜（[Co(11Å)/Cu(t)]30）系列 磁电阻回线，其中(a)～(h)分别对应于 t=14,15,16,18,20,21,22,23Å 层间交换耦合使得Co/Cu 多层膜的GMR随Cu层厚 度变化产生的振荡行为， 其峰及谷常分别相应于 反铁磁和铁磁耦合。 • 过渡金属 （Fe、Co、Ni ）的特殊之处在于原子的3d和4s能级均扩展为 金属中共有的3d和4s能带，二者有重叠。 • 3d和4s电子在能带中按能量高低填充，重新分布。因而过渡金属中每 个原子平均的3d和4s电子数与孤立原子不同。以Fe为例，孤立原子态 6 2， 7.4 0.6 Fe的电子结构为(Ar)3d+4s 重新分布后，每个原子平均为3d +4s 。 • 在居里温度以下铁磁金属3d能带的交换劈裂。电子间的交换作用使自 旋相互平行的电子比相互反平行的电子的能量低。为了降低总能量， 一部分负自旋电子变为正自旋，使能带中正、负自旋的电子数不等， 导致了铁磁金属的自发磁化。 铁磁金属中s电子和d电子能带交叠 铁磁金属（Fe，Co，Ni ）的电子能态密度曲线示意图 铁磁金属 s电子和d电子能带交叠 s电子: 宽能带，低态密度，小m* d电子: 窄能带，高态密度，大m* s电子数目d电子数目：如Ni ，每个原子有10个价 电子，d带占9.42个，s带占0.58个 GMR系统，电流主要由s电子贡献（迁移率高） 1 * 2 E F  E 0 m v F 2 d电子能带的作用 1）自发磁化：磁交换作用使d电子能带分裂，自旋向 上和自旋向下的电子数目不等 2) s-d散射是主要散射机理：散射率正比于终态的态密度 * m   2 -1  2  ~ ~1/│V│ N (E )    F n e      N s ( E F )   N d ( E F )  N d ( E F ) 导致与自旋有关的散射！ * m   2 -1  2  ~ ~1/│V│ N (E )    F n e     V为引起散射的散射矩阵元，N(E )为散射终态相关的费米面能态密 F 度，二者皆与电子散射的概率相关。  在磁性过渡金属中传导电子遭遇到散射后的终态可以是4S态或者是 3