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AlGaN外延薄膜材料的椭圆偏振光谱研究
李秋俊 等:AIGaN外延薄膜材料的椭圆偏振光谱研究
A1GaN外延薄膜材料的椭圆偏振光谱研究
李秋俊 ,冯世娟 ,刘 毅。,赵 红。,赵文伯。
(1.重庆邮电大学 光纤通信技术重点实验室,重庆 400065;
2.深圳大学 物理科学与技术学院,广东 深圳 518060;3.重庆光电技术研究所 ,重庆 400060)
摘 要 : 对蓝宝石衬底上生长的一 系列 AlGa一N 甲基铝 (TMAl,纯度级别低氧)、三 甲基镓 (TMGa,纯
薄膜进行 了椭 圆偏振光谱研究,得到 了薄膜的厚度 以 度级别加合物),氢气 (H )和氮气 的混合气体。共制
及 245~1000nm 的光学常数;通过有效介质模型计算 备 0、1、2、3 4组样品。
出Al组分;随着Al组分的增加 ,折射率 下降,吸收 2.2 椭圆偏振光谱实验
边蓝移 ,与透射光谱结果一致 。 椭圆偏振光谱技术通过测定入射光被样 品反射
关键词 : A1GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学常数 ;A1 (或透射)后偏振状态的变化来确定样品的厚度、光学
组分 常数等物理量。其基本关系为 :
中图分类号: O484.5 文献标识码:A P— itan ===Rp
文章编号 :1001—9731(2010)10-1691-03
其 中R (R )为偏振光与入射面水平 (垂直)方向
1 引 言 的菲涅耳反射系数 , 和 △称为椭偏参数。通过对测
GaN材料是微 电子 、光 电子各种器件应用领域的 量数据 和△的反演 ,可以得到薄膜有关的物理性质。
重要新型半导体材料 ,其三元合金 A1GaN半导体的禁 本实验采用 J.A.WOOLLAM 公司的M-2000型
带宽度从 3.4~6.2eV连续可调 ,是研制高频场效应 光谱椭偏仪对 4组样品进行椭偏测量。入射光波长范
晶体管、高电子迁移率 晶体管、高功率微波器件 以及从 围为 245 1000nm,入射角为 70。。
可见到紫外波段光发射和探测器件 的重要材料[1]。 2.3 透射光谱实验
特别是由于实际应用的需要 (主要是空间探测的需要) 采用 UV-18oo型紫外一可见光分光光度计对 4组
用来探测太阳盲区(250~280nm)的紫外探测器越来 样品进行透射光谱测试,波长范围为 190~1000nm。
越受到人们 的重视。所 以GaN基紫外探测器 以及
3 分 析
GaN材料成为最近的研究热点。
A1GaN材料折射率和消光系数色散关系的研究对 为了获得该系列样 品准确的衬底光学常数,对蓝
GaN基器件尤其是紫外探测器的研制具有十分重要 的 宝石衬底进行 了椭偏测试 ,由体模型计算得到如 图 1
意义。虽然有部分研究人员已经对 GaN的光学性质进 所示的结果 。根据 GaN薄膜 的制备工艺及实际拟合
行了探讨 ,但这些研究多采用体材料样品,且多采用红 结果 ,分别提出0、1、2、3 的结构模型,如图2所示 ,0
外反射或拉曼散射的实验方法 ,得到的实验结果也不尽 样品采用四相模型,即空气一粗糙层一AlN一蓝宝石衬底 ;
相同[4。]。椭圆偏振光谱 (spectroscopicellipsometry,SE) 而 1、2、3样品采用五相模型,即空气一粗糙层-A1GaN—
技术[8具有测量精度高、非损伤性 以及能区分不同物理 A1N一蓝宝石衬底 。其 中粗糙层采用空洞为 50 的有
效应等优点。通过实验测量和数据拟合 ,不但可以得到 效介质近似 (EMA)模型。
GaN材料的光学特征
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