离轴照明下依赖于入射角度的矢量霍普金斯公式!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( ’’ %$$ ’’ ， ， ， U?4 )( +? ) ’’ +?V:1W:K %$$ （ ） ’$$$/#%0$R%$$R( ’’ RS0*S/$0 D-.D HQTIE-D IE+E-D !%$$ -F3= ) HFMA ) I? ) 离轴照明下依赖于入射角度的矢量霍普金斯公式! 曹鹏飞 程 琳 张晓萍! （兰州大学信息科学与工程学院，兰州 #$$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ # %’ %$$ ( ’% 应用矢量电磁场理论和波导模型推导出离轴照明下的矢量霍普金斯公式，与传统的标量霍普金斯公式不同之 处在于引入了入射角及入射方位角 通过仿真实际投影光刻工艺下三维掩模的成像效果，分析了最佳入射角范 ) 围，讨论了离轴照明时入射角对最终成像质量的影响) 关键词：光学光刻，矢量霍普金斯公式，矢量电磁场理论，离轴照明 ： ， !## *%%( *%#$ 的衍射光进行仿真并描绘出其偏振效应，精度高，但 ’ 引 言 计算量大，计算时间长，不适用于快速仿真) 本文应用矢量电磁场理论和波导模型，将倾斜 为满足超大规模集成电路的发展需要，投影光 照明光所包含的入射角及入射方位角因子引入到扩 刻技术得到了飞速发展，投影光刻机分辨率的提高 展后的矢量霍布金斯公式（ ）此公式 Q?7G3=A @?K1942 ) 始终是微光刻领域的核心问题 光刻分辨率增强技 可以快速精确的仿真三维掩模的成像效果 本文推 ) ) 术，如离轴照明（ ， ）、相移掩模 导了含有入射角及入射方位角的矢量霍普金斯公 ?@@ 263A 344913=2B3?= CDE （ ， ）、光瞳滤波（ ， ）、 式，根据此公式计算了入射角及入射方位角对掩模 7F2A: AF3@B 12AG HIJ 79734 @34B:K HL 光学邻近效应校正（ ， ） 仿真的影响，讨论了离轴照明时入射角对最终成像 ?7B324 7K?6313BM ?KK:B3?= CH- ［— ］ 等’ # ，一直是延展光刻分辨率极限的有效手段，而 质量的影响以及最佳的倾斜照明范围，并对上述推 其中离轴照明技术是当前半导体集成电路生产光刻 导结果进行了验证) 分辨率增强技术中很广泛应用的技术之一，其主要 原因是离轴