CdZnTe晶体沉淀物特性的研究.pdfVIP

材 料 2013年增刊I(44)卷 文章编号：1001—9731(2013)增刊 (I)0044—04 CdZnTe晶体沉淀物特性的研究 盛锋锋 ，杨建荣 (中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083) 摘 要： 通过观察和分析 CdZnTe晶体中富 Te和富 六角星形 Is91。但是有关沉淀物的几何结构和特性 以 Cd沉淀物在红外透射显微镜下的形貌特征 ，从 实验上 及沉淀物对周边材料性能的影响并没有开展过深入的 证 实在正四面体或八面体结构的富 Te沉淀物 内部存 研究 。目前对沉淀物 的形成机理并不清楚 ，它有可能 在空洞。分 析 表 明，和 正 四 面体 沉 淀 物相 邻 的 起源于晶体生长后冷却过程中材料化学计量 比的过饱 CdZnTe材料表面为 (111)B面，构成八面体的另外 4 和析 出，也有可能起源于生长过程中卷入 晶体内的因 个面为(111)A面，(¨1)B面为表面能密度最低 的慢 化学计量 比偏离产生的低熔点母液。在 CdZnTe材料 生长面。结合化学腐蚀的观察 结果发现，红外透射显 的应用过程中，沉淀物对外延材料的影响，对 7射线探 微镜下呈星状结构的富 Cd沉淀物 由中心区沉淀物和 测器性能的影响，以及作为衬底使用时在应力状态下 外围高密度位错集聚 区构成 ，中心 区沉淀物 大多为不 对材料力学特性的影响等均没有深入的研究 。 规则形状 。通过分析111和 (110晶向上富Cd沉淀 本文采用红外透射显微镜对沉淀物缺陷在 1l1 物 的形貌特征 ，确定 了星状结构的延伸方向为 (211)晶 和(110晶向的投影形貌进行观察 ，对沉淀物的结构和 向，高密度位错集聚区的大小比沉淀物尺寸大出数倍 。 性质进行了深入 的研究 。并采用化学腐蚀 的手段 ，对 对沉淀物与周边材料的作用机理也进行 了分析。 沉淀物缺陷周 围材料 中的位错特性做 了进 一步 的研 关键词： CdZnTe；缺陷；沉淀物 究 ，对沉淀物缺陷的特性有 了更加完整的了解 ，并在此 中图分类号： TN304．2 文献标识码 ：A 基础上对缺陷形成的机理进行了讨论。 DOI：10．3969／j．issn．1001—9731．2013．增刊 (I)．009 2 实 验 1 引 言 本文采用了垂直布里奇曼法生长的CdZnTe材料 CdZnTe材料是一种被广泛研究应用 的材料 ，主 (Cd Zn Te)，因工艺上对安瓿 中CdZnTe母液无 要用于碲镉汞焦平面探测器 的衬底材料、 射线和 x 法严格控制到正化学计量 比 】，生长的材料 中或多或 射线探测器 的光响应材料。随着技术的发展，这些应 少存在沉淀物缺陷。将 CdZnTe锭条沿 (111)面切割 用对 CdZnTe晶体 的质量提出了越来越严格的要求 。 得到约 lmm厚的单晶片，单晶片通过氧化铝颗粒机械 位错密度、沉淀物尺寸和密度及其非均匀性分布是评 抛光去除切割损伤层。(1111)晶片的表面极性 由化学 价这一材料质量的主要参数 。其中，沉淀物是导致探 腐蚀确定，使用的腐蚀剂为 Everson腐蚀剂 “(乳酸 测器光敏元失效的最直接和最主要机制 。在 目前 的材 100mI硝酸 20mL、氢氟酸 5mI)，材料经腐蚀后光亮 料生长技术水平下，位错和沉淀物都很难被完全消除。 的一面为 (111)B面，变黑 的一面为 (111)A面。接着 通过筛选，CdZnTe材料的位错密度一般可控制在 5× 晶片经双面化学机械抛光得到光亮平整的表面 ，然后 10 ／