M／HgI2接触特性分析.pdfVIP

· 8 · 材料导报 B：研究篇 2011年 4月(下)第25卷第4期 M ／HgI2接触特性分析 许 岗 ，李高宏 ，介万奇。，查刚强 (1 西安工业大学材料与化工学院，西安 710032；2 西北工业大学材料学院，西安 710072) 摘要 利用不同的电极材料和制备方法制备了3种 M／HgI2。采用热电子发射模型计算 了相应的接触势垒。 采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M／HgI2的欧姆接触特性。结果表 明，C／HgIz、AuCla／Hgl2和 Au／HgI2的接触势垒均约为0．9eV；C／Hglz和AuC13／HgI2具有良好的欧姆特性，Au／Hglz的欧姆特性相对较差。 分析认为，HgI晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒。但 由于电极制备工艺没有显著影响AuCla／HgI2 和C／HgI晶体表面质量，因而具有 良好的欧姆接触特性。由于溅射 Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造 成Au／HgI晶体表面质量下降，因此其欧姆接触特性较差。 关键词 碘化汞 电极 接触势垒 费米能级 钉扎 表面质量 欧姆特性 中图分类号：TN305．93 文献标识码：A StudyontheContactCharacteristicofM ／HgI2 XUGang ，LIGaohong，JIEWanqi，CHA Gangqiang (1 SchoolofMaterialsandChemicalEngineering，Xi’anTechnologicalUniversity，Xi’an710032； 2 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072) Abstract ContactbarriersofthreeM／HgI2withdifferentelectrodepreparationprocessingwerecalculatedac— cordingtothethermoionicemissionmodel，andtheOhmiccharacteristicofM ／Hglzwasstudiedwiththreedifferent criterions．Theresultsindicatethatthevalueofbarrierheights，about0．9eV，isallpresentedforthreeM／Hglz．C／ HgI2andAuC13／HgI2havebetterOhmicpropertiesthanAu／HgI2．TheanalysisshowsthatFemilevelatHgI2crystal surfaceis“pinned”priortocontactpreparation。whichleadtothesimilarbarrierheights．ColloidalgraphiteandAuCla havebettercraftofelectrodefabrication，whichdoesnotdeterioratesurfacequalityofHglzcrysta1wafers．Thus，C／ HgI2andAuC13／HgI2havelowercontactresistancespecific，betterohmiccoefficientandlowerelectrodecoefficient． ThehighertemperatureduringsputteringofAucontactsleadstoHglzvolatilizationanddeterioratstheinterfacequali— tyofHgI2crystalwafers，whichformsworseomh iccontact． Keywords mercuriciodide，electrode，contactbarrier，Femi