SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于天津
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SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

朱彦敏等: 量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究 SiC ０４０７９文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０４Ｇ０４０７９Ｇ０５ SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究∗ , , , １２１２１２２２３ , , , , , 朱彦敏宋月鹏康杰高东升毛志泉　 KIM H ounseo y g p ( , ; １．山东农业大学机械与电子工程学院山东泰安２７１０１８ , ; ２．山东省园艺机械与装备重点实验室山东泰安２７１０１８ , ) ３．浦项工科大学材料科学与工程学院韩国浦项７９０７８４ : , , 摘要通过腐蚀法制备量子点荧光标记材料以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂通过超声空化破碎分散及超重　　 SiC , , , , 、力场层析剪裁得到SiC量子点水相溶液研究了制备工艺参数对光学特性的影响结果表明降酸清洗次数超 ( ) , 、声时长对量子点光致发光峰值荧光强度的影响最为显著而腐蚀剂成分及配比超重力系数在一定程度上影响 , , 了其光致发光强度及发射光波长同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移而超声 . 时长及超重力系数的增加使得 SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移并对 SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨. : ; ; ; 关键词　SiC量子点腐蚀法工艺参数光谱特征中图分类号: ; 文献标识码: : / 　O４８２O６１４ A DOI１０．３９６９．issn．１００１Ｇ９７３１．２０１６．０４．０１６ j , 基于此本文采用自蔓延燃烧合成的均质纳米Ｇ β 引言０　　