Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析.pdfVIP

助 材 斟 2010年第8期(41)卷 Ge纳米点／Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析 叶敏华，王丁迪 ，徐子敬，濮 林，施 毅，韩 民，张 荣，郑有蚪 (南京大学 物理系 ，江苏省光电信息功能材料重点实验室，江苏 南京 210093) 摘 要： 结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备 Si 调节生长参数可有效控制 Ge纳米点 的尺寸和密度 。 纳米线和低压化学气相外延 自组织生长 Ge纳米点制 在 目前的结构 中，si和 Ge的拉曼散射特征峰的较大 备 了Ge纳米点 ／Si纳米 线复合 结构 ，采用 电子 显微 红移主要归因于应力和热效应作用 。这种复合异质结 镜、微 区原子 力／拉 曼联合 测试 系统进行 了微 结构表 构有望在太阳电池和锂离子电池上获得应用。 征。Ge纳米点基本均 匀地分布 于 Si纳米线上 ，通过 2 纳米线制备和表征实验 改变生长参数可有效控制 Ge纳米点的尺寸和密度 。 在非常扁薄的无支撑的纳米点／线复合结构 中，由于应 2．1 Ge纳米点 ／Si纳米线制备 力和热效应 的作用使 Si和 Ge的拉曼散射特征峰发生 本实验中，Ge纳米点／si纳米线 的制备采用了金 了较大的红移 。 属纳米颗粒刻蚀l8和化学气相沉积相结合方法 ，制作 关键词 ： 纳米点 ；纳米线 ；制备 ；微结构 步骤如图 1所示。 中图分类号： TN304．1；O472 文献标识码 ：A 在Si单晶片表面 银纳米、颗粒 文章编号：1001-9731(2010)O8—1332—04 1 引 言 半导体一维纳米结构 (如纳米线 、纳米管 、纳米柱 和纳米带)特定 的电学、光学和气敏特性使其在 晶体 管、发光二极管、气体传感器等方面有着广阔的应用前 景 1【]。IV元素 Si和 Ge是集成电路和太阳电池中最 b《)金属纳米颗粒刻蚀 制备Si纳米阵列 si纳米线 重要的材料，最近基于 Si和 Ge的纳米线材料 引起 了 广泛关注，有望于进一步提高太阳能器件[577、锂离子 电池电极材料[8．9]、场效应 晶体管 电子器件[1o12]等性 能 。同时，随着半导体异质结构 的发展 ，核壳纳米线、 纳米点 ／纳米线等异质复合结构研究口。也越来越得到 重视 。目前，Si纳米线的宏量制备方法主要有气一液一 固(VLS)方法和金属纳米颗粒辅助化学刻蚀方法_j。 (c)LPCVD外延生 长Ge纳米点 ● Ge纳米点 近几年，后者的研究成为一个热点 ，它提供了一种成本 低 ，可规模制备纳米线的方法。同时 ，与其它 自组织方 法结合 ，可获得 多种 的 Si纳米线复合结构 。基于 Stranski—Krastanow (S—K)模式的应变生长机制在 Si 表面 自组织生长 Ge／Si纳米异质结构具有特定的光 电 特性已得 到应用[1l8]。Ge／Si微结构及界面特性 (应 力 、粗糙度以及互扩散等)会对材料的物理性质产生影 图1 制备步骤示意图 响。 Fig1FabricationprocedureofGenanodot／Sinanowi— 这里 ，我们发展了金属纳米颗粒辅助化学刻蚀和 re 低压化学气相外延 (LPCVD)方法制备 Ge纳米点 ／si 首先 ，HF基 AgNO。溶液均匀分布在清洗处理的 纳米线复合结构 ，并采用扫描电子显微镜 (SEM)、透射 P型 (100)硅单 晶片表面，