第4讲半导体.ppt

③大功率管的散热器和管子低部接触应平整光滑，在散热器上用螺钉固定管子，要保证个螺钉的松紧一致，结合紧密。 ④管子应安装牢固，避免靠近电路中的发热元件。 　5、场效应管 场效应管(FET)又称为单极型晶体管，场效应管分为结型（JEET）和绝缘栅型（ IGFET）。 场效应管与晶体管比较表1.11所示。场效应管优越于晶体管，多子导电稳定、输入阻抗高、功耗少，电源宽等。 　6、结型场效应管 　7、结型场效应管检测 从结型场效应管的结构图可看出，当栅极开路时，漏（D）源（S）之间的沟道相当于一电阻（几百欧至几千欧姆）。而栅极至漏极和源极均为一PN结。 所以，可象判断三极管的基极一样进行判断。 　8、结型场效应管放大能力估测 　9、MOS绝缘栅型场效应管 * 1.4　半导体器件 1.4.1 半导体器件的命名方法 　　1.国产半导体器件的命名方法 半导体器件型号由五个部分组成，前三个部分的符号意义见表1.10所示。第四部分是数字表示器件的序号，第五部分是用汉语拼音字母表示规格号。 表1.10 半导体器件型号的符号及意义 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 CS BT FH PIN JG 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流器 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管（fα 3MHz, Pc1W） 高频小功率管（fα≥3MHz,Pc1W） 低频大功率管（fα3MHz,Pc≥1W） 高频大功率管（fα≥3MHz,Pc≥1W） 可控硅整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 P V W C Z L S N U K X G D A T Y B J N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 A B C D A B C D E 二极管 三极管 2 3 意义 符号 意义 符号 意义 符号 第三部分 第二部分 第一部分 示例：硅材料NPN型低频大功率三极管： 3 D D 15 D 三极管 NPN型硅材料 低频大功率 序号 规格 2.日本半导体器件的命名方法 　　日本半导体器件型号由五至七部分组成。前五个部分符号及意义如表所示。第六、七部分的符号及意义通常由各公司自行规定。 例如：2SC1815为NPN型高频三极管(简称C1815)；2SD8201A为NPN型低频三极管，A表示改进型。 3.美国半导体器件的命名方法 　　美国电子工业协会(EIA)规定的半导体器件的命名型号由五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间部分为型号的基本部分，如表所示。 n个PN结 器件 n 三个PN结 器件 3 非军用品 无 三极管 2 同一型号器件的不同档别 A B C D 该器件是在美国电子工业协会登记号 数字 该器件是在美国电子工业协会注册登记的半导体器件 N 二极管 1 军用品 JAN或J 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 用字母表示 器件分档 美国电子工业 协会登记号 美国电子工业协会 注册标志 用数字表示 PN结数目 用符号表示 用途 第五部分 第四部分 第三部分 第二部分 第一部分 例如：1N4001—硅材料二极管；JAN2N2904—军用三极管。 1.4.2半导体二极管 1. 二极管的分类 　　二极管其主要特性是单向导电性。二极管的种类繁多，按用途分为整流、检波、稳压、阻尼、开关、发光和光敏二极管等；按采用的材料的不同可分为锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管等；按结构的不同又可分为点接触和面接触二极管；按工作原理分有隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管、双基极二极管等。 一般二极管 　　发光二极管 　 变容二极管 　 稳压二极管 　隧道二极管 　双向二极管　 2. 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IF 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。使用时，管子的平均电流不得超过此值，否则可能使二极管过热而损坏。 （2）最大反向工作电压UR 是指工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿电压UBR的一半定为UR。 （3）反向电流IR 是指在室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。反向电流愈小，说明二极管的单向导 电性愈好。此外，由于反向电流是由少数载流子形成，所以IR受温度的影响很大。 （4）最高工作频率f M 主要取决于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二检管