单晶Tm2O3高k栅介质漏电流输运机制研究.pdfVIP

助 窖幸 斟 2012年增刊Ⅱ(43)卷 单晶Tm O3高k栅介质漏电流输运机制研究 杨晓峰 。，谭永胜 ，方泽波 ，冀 婷。，汪建军 ，陈太红 (1．西华师范大学 物理与电子信息学院，四川 南充 637002； 2．绍兴文理学院数理信息学院，浙江 绍兴 312000；3．复旦大学 应用表面物理 国家重点实验室 ，上海 200433) 摘 要 ： 利用分子束外延技术在 P型 Si(001)衬底上 意义。然而，目前对于单 晶Tm O。高 k栅介质 的漏 外延生长 了单 晶Tm O。高 k栅介质薄膜 ，分别在不 电流输运机制的研究还未见报道 。 同温度下测量 了薄膜 的电流一电压特性 。基于变温 电 本文在不同温度下测量了单 晶Tm。O。薄膜 的电 流一电压特性数据的漏电流输运机制分析表 明，单晶 流一电压 (I—)特性 ，并通过对不 同温度 ，一 数据的拟 Tm O。栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机 合 ，系统地分析了薄膜的漏电流输运机制 。结果表明， 制为 肖特基发射，而在 负偏压下的主要漏电流输运机 在 3O0～5OOK 的温度下，肖特基发射和 Frenkel—Poole 制为 Frenkel—Poole发射 。 (F—P)发射分别主导着 A1／Tm O。／Si结构在正偏压下 关键词： 单晶Tm O。薄膜 ；高 k栅介质 ；肖特基发 (即电子衬底注入)和负偏压下(即电子门电极注入)泄 射 ：Frenkel—Poole发射 漏 电流的形成。 中图分类号： O471．4 文献标识码 ：A 2 实 验 文章编号 ：1001—9731(2012)增刊 II一0318—04 采用 MBE系统在 P型 Si(001)衬底上制备 了 l 引 言 6nm厚 的单 晶 Tm O。薄膜 ，原位俄 歇 电子能谱 随着超大规模集成 电路技术 的飞速发展 ，金属氧 (AES)的测量结果显示样 品是符合化学计量 比的 化物半导体场效应 晶体管(M0SFET)的特征尺寸按 Tm O。薄膜 。高分辨透射 电子显微镜 (HRTEM)测 照摩尔定律不断缩小。当MOSFET 中的SiO。绝缘 量表 明样品具有完好的单 晶结构 ，具体 的生长细节和 栅介质的尺寸减小到 1．5nm 以下时，由隧穿效应引起 样品特性研究详见参考文献[8]。采用高真空蒸镀法 的栅极漏电流将达到无法接受的程度 。采用高介 电常 制作了用于 —V测量的MOS电容 。制作时在Tm O。 数(愚)材料替代传统的SiO。作为栅介质能够在保证器 薄膜上蒸镀上 Al电极 ，并在样品的背面也蒸镀了A1 件性能的同时具有较大的物理厚度 ，从而避免隧穿效 作为背部欧姆接触。 应所引起 的泄漏电流。在 目前被研究的众多高 k栅介 采用 Keithley2400数字源表测量 了样 品在不 同 质材料 当中，稀土氧化物由于具有较高的k值 ，大的禁 温度 (300、350、400、450和 500K)下 的 J—V特性 ，并基 带宽度 (约为 5～7eV)以及相对于 Si比较大的能带偏 于变温的 — 测量数据得出了单晶Tm。O。薄膜在正 移 ，成为在 22nm及 以下技术节点具有潜在应用价值 负偏压下的漏电流输运机制。 的栅介 质 材料口_6_。据报 道 ，同为稀 土 氧 化物 的 3 结果与讨论 Tm O。在 与 Si接触时具有极好的热稳 定性，不易在 高温退火过程 中生成硅化物和硅酸盐Ⅲ7]，是一种很