变电站端子箱铜包铝电缆屏蔽线的腐蚀现象、机理与防护措施.pdfVIP

鞫 ．48N。ep 蒸发、结 品出来 ，会保持在 HC1气氛 rfl，否则便发生 生电解池瞄蚀。根据感尘电动势的方lfiJ不同，电橄反 Al”+3Cl一+3H，0一 Al(OH) +3HC1f双水解 应式-nr以是 阳极 Cu一2e一一+Cu ，阴极 Cu +2e 反应 ；HC1气氛会使此反应的Hc1分压达到饱和蒸汽 CI1．或者是 阳极 Al一3e一一 Al“，阴极 02+2H20 压，从而抑制Al(OH)的生成，最后结晶出AIC1晶体 。 +4e～ 0H一；乍成的A1(0II)为絮状疏松沉淀 ，干 3 2 2 2 l l 0 O 在端子箱内空气潮湿时，HC1气体遇到空气中的小水珠 2 8 4 O 6 2 8 4 O 燥时犬部分转化为 AI0 ，之后剥离掉落在地 ，”。 会形成酸溶液 ，吸附于屏蔽线的铜层表面，在这利1酸性 电解池腐蚀主要发生狂制层腐蚀减薄甚至是剥离后的 条件下，铜的腐蚀速率加快，其表层有一层 CuO及少 腐蚀后期。 量的CuO氧化物 ¨”J，从而形成致密的氧化膜 ，导致铜 由上得知，变 电站端子箱内铜包铝 电缆屏蔽线存 的钝化，但是在非氧化性的稀酸溶液中，会发生 2HC1+ 在3种睹蚀机理：酸性气氛化学腐蚀 ，原 电池腐蚀 ，电 Cu20———+2CuCl+H20，2HC1+CuO ———}CuCl2+H2O 解池腐蚀 ；仞期，铜被酸性气氛腐蚀 ，中后期为电化学 反应；氧化膜被酸性溶液溶解后，新鲜的Cu原子会裸 腐蚀 ，即 外层的铜被惦蚀穿孔之后 ，开始 电化学腐 露 ，继续进行氧化 ，如此循环 ，腐蚀不断加剧。C1元素 蚀 ，屏蔽线很快被膳蚀断裂；在酸性气氛下，原本耐空 是极易导致小孔腐蚀 的电解质元素，会加速铜层的腐 气耐腐蚀 的外层铜很快被腐蚀穿孔进 而发生 电偶腐 蚀穿孔过程。 蚀 ；电流密度主要集t往铜包 线表层 ，感应电流 的导 综 』二可知 ，HC1是导致变电站端子箱内铜包锅电缆 体又易发生电解池腐蚀，进而加快了腐蚀速率。 屏蔽线铜层快速腐蚀穿孔的主要原因。现场钶可包铝电 3 腐蚀防护措施 缆屏蔽线的腐蚀状态 也证实了这一点：锏层已经不连 续 ，右 』二角 Al芯 已经完全裸露 ；右下角铜层有 IuJ坑或 鉴于以上腐蚀状 ， 止酸性气氛的形成和让 电 孔涮 (见图 1)。 缆屏蔽线与酸性物质隔绝是端子箱 内屏蔽线防腐蚀 的 为验证端子箱 内电缆屏蔽线快速瞒蚀的断裂行为 2个 F『确途径 与箱内的敞性 I{ 气氛有关 ，分别刚 0．85mol／LHCI， 将铜包 销 电缆屏 蔽线 分别 浸泡 0．Imol／L NaC1，NaOH溶液 ，室温下进行24，48，72，96h的盐雾腊 K。cr1O ，笨丙t氮唑和823溶液之rf，48h后取 }j烘十， 蚀。图3为屏蔽电缆线腐蚀前后铜层减薄厚度与麝蚀时 接着浸入0．1mol／[tiC1溶液；垌 CS300UA电化学1作 问的关系 图3显示：随时问的推移，铜在酸．陛环境下的 站 ，以扣描电位一0．2，一1．2V， 描速率0．334mV／s，时 减薄速率约为其他 2种条件的3倍，这说明端子箱内的 问4191．5S，开路电位 一0．058V为条件 ，其极化f_H=i线见 电缆屏蔽线在酸性环境中的腐蚀速率大大加快。 I4 lglJ／(A ·l【nl ) gl，／(A ‘m )