可控表面结构Si纳米柱阵列的制备及光学特性研究.pdfVIP

童 亮 等 ：可控表面结构 si纳米柱 阵列 的制备及光学特性研究 文章编号 ：1001—9731(2013)增刊 (Ⅱ)一0259—05 可控表面结构 Si纳米柱阵列的制备及光学特性研究 童 亮 ，张 朝。～，徐 明 ，徐 韬 ，魏 斌 ，张建华。 (1．上海大学 材料科学与工程学院，上海 200072； 2．上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室 ，上海 200072； 3．上海大学 机电工程与 自动化学院，上海 200072；4．中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ，上海 200050) 摘 要： 采用纳米球刻蚀法发展针对有序 Si纳米柱 成纳米柱 (线)表面大量的晶格缺陷从而会影响其电学 阵列 的低成本及 可控制备 方法 ，首先运 用 Langmuir— 性能 。基于此类 Si纳米柱 (线)阵列组装而成 的太 阳 Blodgett法在 n—Si(100)片上制备 SiO2粒子单层膜 ， 电池器件所得 的转换效率也都非常低。因此，如何实 并以此为掩膜 系统考察深度反应离子刻蚀及低损伤的 现纳米柱 (线)阵列的低成本 、有序制备及控制其表面 感应耦合等 离子体刻蚀对于 Si纳米柱表 面形貌的影 形貌结构仍是 目前 Si纳米柱 (线)在太 阳电池应用 中 响规律 ，并且通过控制刻蚀参数有效调控 si纳米柱阵 的研究重点。 列的尺寸、分布及表面结构。反射谱测试结果表 明，si 本文采用近年来兴起 的纳米球刻蚀技术 (nano— 纳米柱阵列可 以起到显著 的减反射作用，且在 400～ spherelithography，NSL)[。。 结合干法刻蚀技术发 1000nm 的光谱 范围 内的最优光反射率约为 5 。 展针对 Si纳米柱阵列的低成本、宏量及可控的制备方 关键词 ： Si纳米柱阵列；纳米球刻蚀 ；可控表面结构 ； 法。首先运用 LangmuirBlodgett(gB)拉膜法_】。。。在 n— 减反射 Si(100)片上制备单层均匀分布的 SiO 粒子点阵，以 中图分类号 ： O613．72 文献标识码：A 此作为光罩从而避免使用成本很高的曝光技术。然后 DOI：10．3969／j．issn．1001-9731．2013．增刊 (Ⅱ)．019 通过深 度 反应 离子 刻蚀 (deepreactiveionetching， DRIE)[1叩制备高长径比的 Si纳米柱阵列 ；以及运用感 1 引 言 应 耦 合 等 离 子 体 (inductively coupled plasma， Si纳米柱 (线)凭借其一维 的柱形结构、独特 的电 ICP)[1胡技术实现低损伤的刻蚀得到表面平整的 Si纳 学和光学性能在近年来得到了广泛的关注和深入 的研 米柱阵列 。最后研究 Si纳米柱阵列在 300 1000nm 究口]，在太 阳电池 ]、场效应 晶体 管 ]、生物传感 波段 的减反射性能 。 器[5]、发光材料[=6等领域已经取得了一定成果 ，特别是 2 实 验 在太阳电池应用方面具有很大 的潜在应用价值 。目 前，对于高效单 晶Si太 阳电池而言，其表面反射率是 2．1 SiO 粒子单层膜的制备 影响电池光 电转换效率的重要因素之一 ，而 Si纳米柱 将 n—Si(100)片切成 1em ×1em大小 ，分别放在 (线)阵列的织构化结构可以有效地降低太阳电池的表 丙酮 、乙醇和去离子水中超声清洗 30min，烘干备用。 面反射率 。 图 1为实验中 si纳米柱 阵列 的制备流程 图。使 si纳米柱 (线)阵列 的制备方法主要有两种 ：湿法 用 Langmui