垂直铜基底钴纳米片阵列的电化学制备及磁性能研究.pdfVIP

徐丽霞 等 ：垂直铜基底钴纳米片阵列的电化学制备及磁性能研究 垂直铜基底钴纳米片阵列的电化学制备及磁性能研究 徐丽霞，张世超 ，刘文博 (北京航空航天大学 材料科学与工程学院，北京 100191) 摘 要 ： 以柠檬酸氢二铵作为包裹剂，采用一步恒流 化学方法制备 出垂直基底 的片状钴纳米 晶；Hang 电沉积法在铜基体上制备 出垂直生长的钴纳米片阵 等f_】在无任何硬模板 的条件下在铜基底上采用一步 列 ，并采用SEM、XRD及 EDX对该产物的形貌、晶体 电沉积法制备出锥状钴纳米晶阵列等。本文在金属纳 结构以及化学成分进行表征 。研究结果显示，包裹剂 米晶的制备方面也做了大量研究工作 ，例如，在液相中 种类、浓度 以及 电沉积 时间对钴纳米 片阵列的形貌具 制备 出了对 甲醇催化氧化具有高活性 的金纳米晶颗 有重要影响。此外，钴纳米片阵列 因其特殊的三维结 粒_l1，在铜基底上利用一步 电沉积制备出了锥状镍纳 构表现 出优异的磁各向异性特征 ，其 中易磁化轴平行 米晶阵列并以此为集流体应用于锂电负极材料 中，获 于基底方向，而在垂直于基底方向上则具有较好 的铁 得了优异的循环性能口 。本文以柠檬酸氢二铵作为 磁性 能 。 添加剂，采用一步恒流电沉积法在铜基底上制备 了垂 关键词 ： 钴陈列 ；电沉积；显微结构 ；磁各 向异性 直基底取 向生长的钴纳米片阵列 (CoNPA)。结果显 中图分类号： O614 文献标识码：A 示包裹剂种类、浓度 以及 电沉积时间是影响钴纳米片 文章编号 ：1001—9731(2012)05—0607—04 阵列形貌的重要因素。钴纳米片阵列 因其特殊 的三维 1 引 言 结构表现出优异的磁各向异性特征。 由于纳米磁性材料的相关性能随材料尺寸 、形貌 2 实 验 的改变而改变，并表现出新颖独特的物理性质 ，而被广 2．1 CoNPA 的制备 泛应用于超高密度信息存储、磁光材料、生物医学、吸 2．1．1 试剂 波材料以及催化等领域[1]。作为一种重要的铁磁性 实验所用 的试剂均为分析纯 ，其中CoSO 、柠檬酸 材料 ，近年来 ，钴纳米结构材料在光学材料 、催化材料 、 氢二铵、H。BO。、(NH )SO 、柠檬酸钠、无水 乙醇、丙 微波吸收材料和永磁材料等方面L3。的潜在应用 ，引起 酮、盐酸均购 自北京化学试剂公司，使用前未经进一步 了物理学 、化学 、材料学领域 的众多研究学者 的研究兴 提纯 。所有溶液均采用蒸馏水配制 。 趣 ，从而开展了大量的相关研究工作 。例如，在溶液相 2．1．2 制备过程 中利用水热法通过添加各种表面活性剂已成功制备 了 在 电沉积过程 中使用三 电极体系，以处理过 的 钴纳米棒 I9j、钴纳米线_l】。’“以及钴纳米片_1。等。然 lcm×2cm 的铜箔作为工作电极，大块钛板作为对电 而，在实际应用 中由于液相 中制备的纳米 晶往往需要