继电器与电机驱动技术.ppt

第三章 继电器及电机的驱动技术继电器是控制系统中使用最多的元件之一 工业控制中，以5V、6V、9V、12V、24V的继电器为多数;3.1直流继电器的驱动及泄流直流继电器一直是控制系统中开关控制元件的主流 ;泄流、续流二极管;3.1直流继电器的驱动及泄流;注意：驱动直流继电器时，COM端务必接到继电器的供电电源端。;（1）用7406 、7407、ULN200X等直接驱动;ULN2003;;;2、大型继电器或电磁阀的驱动 ;（ 2）用小继电器中继;小型或微型继电器的触点可以选择一组或两组触点，触点形式也有多种可选，但以1Z或2Z为多见。1Z触点指一组二个触点的触点形式，一个为常开触点，另一个为常闭触点。2Z触点则有两组1Z触点。这样就更方便硬件设计。图3.3为使用中继方式连接大继电器的电路，其中小继电器带有两组Z型触点(即2Z)，使用了一组，另一组可派作它用。两组触点也可并联连接，以增大触点电流。 ;3.2直流固态继电器(DC SSR)及驱动;直流固态继电器的驱动模式;1、原理图;2、直流固态继电器的性能参数(P49表3.1）;讶敷擎吞邑仙暴走氓艰稗尾楚碑竣仇均狮豹憎楼纯吁镭纸披将栋盛县特仇继电器与电机驱动技术继电器与电机驱动技术;步进电机控制原理图;步进电机原理图;交流固态继电器(AC SSR)及驱动;3.3 交流固态继电器（AC SSR)及驱动 （ 1）随机导通型——阻性负载 （2）过零型——负载较大或感性负载MOC3041:过零触发的交流固态继电器。该器件仅能控制1A以下的电流，不能直接用于大功率器件的驱动。用MOC3041再驱动大功率双向可控硅，双向可控硅可大到50A以上 ; （1）随机导通型——阻性负载;（2）过零型——负载较大或感性负载 1为输入电路，2光电开关，3过零检测电路，4双向可控硅触发电路，5保护电路。控制感性负载时，输出端并联1~1.5μF负载电容有利于导通前沿的平滑。 ;2、应用举例;3、使用注意事项;3）固态继电器电压等级的选取及过压保护 阻性负载——将耐压值提高20% 感性负载——220V应选用耐压280V的固态继电器 380V应选用耐压480V的固态继电器 过压保护——并接压敏电阻 压敏电阻的耐压值应为??源电压有效值的1.6～ 1.9倍 ;4）电流等级的选取及过流保护 阻性负载——电流等级应=2倍的负载额定电流 交流电机负载——空载启动，电流等级应按4～5倍的负载额定电流选取，否则按6～7倍选取 其他感性负载——按4～5倍的负载额定电流选取 过流保护——快速熔断器和空气开关 5）交流固态继电器的发热与散热 当固态继电器的功率损耗较大时，必须考虑固态继电器的散热。是否需加散热装置与固态继电器的工作电流、封装形式、工作环境等因素有关。10A以下的固态继电器通常不需要加装散热块。;使用注意事项;3.4直流电机的PWM (脉宽调制输出)驱动直流电机的转速取决于驱动电流的有效值 ;常用方法;1）用功率晶体管驱动直流电机;通常使用PNP三极管驱动达林顿达晶体管，直接驱动电路见图，图中Q2为达林顿晶体管驱动模块。功率晶体管的驱动电压通常比较大，因此，必须使用高压输出的OC门驱动。经Q1反相驱动后，驱动电流进入功率晶体管基极。R3用于限流，应根据Q2的直流放大倍数确定，R4用于关断时的基极泄流，以加快Q2的截止速度。OC门电路U1也可由三极管或达林顿达晶体管阵列驱动器代替，耐压值必须大于VCCX。其电流可达100-200A;用带光电隔离功率晶体管模块直接驱动电机;2）用大功率场效应管驱动直流电机;大功率场效应管;大功率场效应管加OC门驱动直流电机;3）用继电器驱动直流电机;IGBT功率可达100KW以上, 电流可达10KA以上, 电压可达100KV以上，如此的驱动模块通常很难想象，不过IGBT可以做到 ;IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G) ;本质上是场效应晶体管，突出特点：;7路封装模块;1、IGBT对驱动电路的要求;2、IGBT智能功率模块;VIN输入低电平时，IGBT 导通 高电平时，IGBT截止;图2.24 7路IGBT功率模块PM100RSE060 的应用电路（三相交流电机变频控制）;;3.IGBT专用驱动器;富士的EXB850、851、840、841即是这种驱动元件 ;;EXB850驱动IGBT相当方便，仅需提供10mA的开关信号即可驱动IGBT导通。器件的20V工作电源需与驱动